IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018CFD7XKSA1 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Он используется для управления электрическим током в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Рейтинг напряжения (V_GS(th)): не менее 2,5 В
• Номинальная дренажная токовая плотность (R_DSON): 0,49 мОм
• Максимальное напряжение между дреном и эмиттером (V_DS(on)): 18 В
• Максимальный рабочий ток (I_D(on)): 32 А
• Максимальная частота переключения (f_s): 1 МГц

• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме насыщения
• Малое сопротивление при включенном состоянии
• Устойчивость к электрическим шумам
• Низкий уровень тепловыделения
• Малые размеры

• Минусы:
• Необходимо соблюдать максимальные значения напряжений и токов для предотвращения повреждений
• Необходимо наличие дополнительного оборудования для защиты от вольтажных ударов

Общее назначение: IPW60R018CFD7XKSA1 используется для управления токами в различных приложениях, таких как источники питания, инверторы, приводы двигателей, системы управления мощностью и т.д.

• Применяется в:
• Источниках питания
• Автомобильных системах
• Промышленных приводах
• Энергосберегающих системах
• Компьютерных системах