Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPW65R150CFDFKSA2
  • В избранное
  • В сравнение
IPW65R150CFDFKSA2

IPW65R150CFDFKSA2

IPW65R150CFDFKSA2
;
IPW65R150CFDFKSA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW65R150CFDFKSA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW65R150CFDFKSA2 при покупке от 1 шт 844.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW65R150CFDFKSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW65R150CFDFKSA2

Маркировка IPW65R150CFDFKSA2, производитель Infineon Technologies, описание MOSFET N-CH 650В 22,4А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6,5 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 22,4 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 650 В
    • Коллекторный сопротивление (RDS(on)): ≤ 95 мΩ
    • Тип корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое коллекторное сопротивление, что уменьшает потери энергии
    • Устойчивость к перегреву
    • Совместимость с большинством систем управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Применение в инверторах
    • Работа в источниках питания для различных устройств
    • Использование в электронных устройствах, требующих высоких токовых нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание бытовых приборов
    • Источники питания для компьютеров
    • Инверторы для преобразования переменного тока в постоянный
    • Электронные устройства с высокими требованиями к токовой способности
Выбрано: Показать

Характеристики IPW65R150CFDFKSA2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 9.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2340 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    195.3W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW65R150

Техническая документация

 IPW65R150CFDFKSA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    844 ₽
  • 30
    470 ₽
  • 120
    387 ₽
  • 510
    327 ₽
  • 1020
    313 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW65R150CFDFKSA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW65R150CFDFKSA2 при покупке от 1 шт 844.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW65R150CFDFKSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW65R150CFDFKSA2

Маркировка IPW65R150CFDFKSA2, производитель Infineon Technologies, описание MOSFET N-CH 650В 22,4А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6,5 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 22,4 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 650 В
    • Коллекторный сопротивление (RDS(on)): ≤ 95 мΩ
    • Тип корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое коллекторное сопротивление, что уменьшает потери энергии
    • Устойчивость к перегреву
    • Совместимость с большинством систем управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Применение в инверторах
    • Работа в источниках питания для различных устройств
    • Использование в электронных устройствах, требующих высоких токовых нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание бытовых приборов
    • Источники питания для компьютеров
    • Инверторы для преобразования переменного тока в постоянный
    • Электронные устройства с высокими требованиями к токовой способности
Выбрано: Показать

Характеристики IPW65R150CFDFKSA2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 9.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2340 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    195.3W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-41
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW65R150

Техническая документация

 IPW65R150CFDFKSA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK16J60W,S1VEX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    1 214Кешбэк 182 балла
    TK155A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
    850Кешбэк 127 баллов
    SSM6K405TU,LFMOSFET N-CH 20V 2A UF6
    85Кешбэк 12 баллов
    TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247
    1 668Кешбэк 250 баллов
    TW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
    2 606Кешбэк 390 баллов
    TK49N65W,S1FPB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
    2 655Кешбэк 398 баллов
    TK31Z60X,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 291Кешбэк 343 балла
    TK49N65W5,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 547Кешбэк 382 балла
    TK750A60F,S4XMOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
    504Кешбэк 75 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    688Кешбэк 103 балла
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    620Кешбэк 93 балла
    BSS138-13-FMOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
    40.5Кешбэк 6 баллов
    BSS138K-13MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
    25.7Кешбэк 3 балла
    DMN62D1LFB-7BMOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
    64Кешбэк 9 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    DMTH6016LFDFWQ-7RMOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    DMT6012LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
    97Кешбэк 14 баллов
    DMN31D5L-13MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMN2053UW-7MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN5L06KQ-7MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    DMTH6004SK3-13MOSFET N-CH 60V 100A TO252
    234Кешбэк 35 баллов
    DMN67D7L-7MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    107Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    DMN61D9UWQ-13MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMP6350SQ-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    120Кешбэк 18 баллов
    DMN65D9L-7MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH6016LPSQ-13MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
    160Кешбэк 24 балла
    DMN62D1LFDQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3731U-7MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
    40.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП