Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPZ60R099P6FKSA1

IPZ60R099P6FKSA1

IPZ60R099P6FKSA1
;
IPZ60R099P6FKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPZ60R099P6FKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPZ60R099P6FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPZ60R099P6FKSA1

IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Размер тока (ID(Th)): 37.9А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый электрический сопротивление при включенном состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов от других производителей
    • Требует соблюдения правил термодизайна для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления превращением и обратной передачей энергии
    • Использование в трансформаторах и инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Энергосберегающие приборы
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Промышленные преобразователи
    • Компьютерные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPZ60R099P6FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 1.21mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3330 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    278W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    IPZ60R099

Техническая документация

IPZ60R099P6FKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPZ60R099P6FKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPZ60R099P6FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPZ60R099P6FKSA1

IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Размер тока (ID(Th)): 37.9А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый электрический сопротивление при включенном состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов от других производителей
    • Требует соблюдения правил термодизайна для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления превращением и обратной передачей энергии
    • Использование в трансформаторах и инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Энергосберегающие приборы
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Промышленные преобразователи
    • Компьютерные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPZ60R099P6FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 1.21mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3330 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    278W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    IPZ60R099

Техническая документация

IPZ60R099P6FKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории