IPZ65R045C7XKSA1

Основные параметры:

• Напряжение сток-исток (Vds): 650 В
• Максимальный ток стока (Id): 46 А
• Тип канала: N-канал
• Корпус: TO247
• Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): Обычно около 0.032 Ом (при Vgs=10В, Id=23А), но точное значение зависит от температуры.
• Напряжение открытия затвора (Vgs(th)): Обычно 3-5 В
• Мощность рассеяния (Pd): Зависит от условий охлаждения, обычно до 150 Вт (при T корпуса = 25°C)

Плюсы:

• Высокое напряжение пробоя (650В) позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
• Высокий допустимый ток (46А) обеспечивает работу с большими нагрузками.
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) минимизирует потери мощности.
• Корпус TO247 обеспечивает хороший теплоотвод.
• Высокая надежность и долговечность, типично для продукции Infineon.

Минусы:

• Относительно высокая стоимость по сравнению с MOSFET с более низкими характеристиками.
• Требуется драйвер затвора для эффективного управления.
• Чувствительность к статическому электричеству (ESD) требует соблюдения мер предосторожности при работе.

Общее назначение:

IPZ65R045C7XKSA1 – это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в высоковольтных и сильноточных приложениях. Он используется в качестве силового ключа, для управления нагрузкой.

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы
• Преобразователи напряжения
• Бесщеточные двигатели постоянного тока (BLDC)
• Системы зарядки электромобилей и гибридных автомобилей
• Солнечные инверторы
• Сварочные аппараты