Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRF3007PBF

IRF3007PBF

IRF3007PBF
;
IRF3007PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRF3007PBF при покупке от 278 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF3007PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF3007PBF

IRF3007PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 75В
    • Номинальный ток (ID) - 75А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерный диод - отсутствует
    • Пакет - TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Низкий ток срабатывания
    • Высокий коэффициент передачи
    • Малый размер и вес
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в OFF-режиме
    • Необходимо учесть термические факторы при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих больших токов
    • Регулировка и управление мощностью
    • Переключение высоких токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание серверных систем
    • Мощные преобразователи
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF3007PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.6mOhm @ 48A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3270 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF3007

Техническая документация

IRF3007PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 278 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IRF3007PBF при покупке от 278 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF3007PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF3007PBF

IRF3007PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 75В
    • Номинальный ток (ID) - 75А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерный диод - отсутствует
    • Пакет - TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Низкий ток срабатывания
    • Высокий коэффициент передачи
    • Малый размер и вес
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в OFF-режиме
    • Необходимо учесть термические факторы при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих больших токов
    • Регулировка и управление мощностью
    • Переключение высоких токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание серверных систем
    • Мощные преобразователи
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF3007PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.6mOhm @ 48A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3270 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF3007

Техническая документация

IRF3007PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 278 шт