Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IRF300P227
  • В избранное
  • В сравнение
IRF300P227

IRF300P227

IRF300P227
;
IRF300P227

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF300P227
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 50A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена IRF300P227 при покупке от 1 шт 1372.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF300P227 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF300P227

IRF300P227 Infineon Technologies MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) – 300В
    • Номинальный ток (ID) – 50А
    • Тип – N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Пакет – TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малый коэффициент включения
    • Низкий динамический ток утечки
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача тока в электронных устройствах
    • Применяется в различных приборах и системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Мощные преобразователи
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF300P227

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    107 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4893 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRF300

Техническая документация

 IRF300P227.pdf
pdf. 0 kb
  • 633 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 372 ₽
  • 10
    1 350 ₽
  • 25
    822 ₽
  • 100
    717 ₽
  • 250
    715 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF300P227
  • Описание:
    MOSFET N-CH 300V 50A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена IRF300P227 при покупке от 1 шт 1372.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF300P227 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF300P227

IRF300P227 Infineon Technologies MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) – 300В
    • Номинальный ток (ID) – 50А
    • Тип – N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Пакет – TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малый коэффициент включения
    • Низкий динамический ток утечки
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача тока в электронных устройствах
    • Применяется в различных приборах и системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Мощные преобразователи
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF300P227

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    107 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4893 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRF300

Техническая документация

 IRF300P227.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPIC1502DWRSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    337Кешбэк 50 баллов
    CSD17484F4MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
    77Кешбэк 11 баллов
    TPIC1505DWRSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    329Кешбэк 49 баллов
    CSD22205LTMOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
    108Кешбэк 16 баллов
    TMS70C02FNLRMMP 8-BIT CMOS PLCC 44 PIN
    423Кешбэк 63 балла
    CSD17585F5MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
    79Кешбэк 11 баллов
    CSD13385F5TMOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
    276Кешбэк 41 балл
    CSD13385F5MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
    86Кешбэк 12 баллов
    CSD18543Q3AMOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
    222Кешбэк 33 балла
    CSD18514Q5ATMOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
    292Кешбэк 43 балла
    TPIC1501ADWRN-CHANNEL POWER MOSFET
    524Кешбэк 78 баллов
    CSD19538Q2MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
    140Кешбэк 21 балл
    CSD25310Q2TMOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
    101Кешбэк 15 баллов
    CSD13380F3MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
    63Кешбэк 9 баллов
    CSD17318Q2MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
    112Кешбэк 16 баллов
    CSD25501F3TMOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
    243Кешбэк 36 баллов
    CSD25484F4MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
    72Кешбэк 10 баллов
    CSD18510Q5BMOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
    535Кешбэк 80 баллов
    CSD18514Q5AMOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
    232Кешбэк 34 балла
    TPIC5421LNEN-CHANNEL POWER MOSFET
    756Кешбэк 113 баллов
    CSD17581Q3AMOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
    226Кешбэк 33 балла
    CSD25402Q3ATMOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
    200Кешбэк 30 баллов
    CSD25501F3MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
    70Кешбэк 10 баллов
    TPIC2202KCN-CHANNEL POWER MOSFET
    305Кешбэк 45 баллов
    CSD18511Q5ATMOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
    412Кешбэк 61 балл
    TPIC1533DWRТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    524Кешбэк 78 баллов
    CSD25485F5MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
    114Кешбэк 17 баллов
    CSD16327Q3TMOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
    285Кешбэк 42 балла
    SN74CBT16245DGGМикросхема: IC 16-BIT FET BUS SW 48-TSSOP
    410Кешбэк 61 балл
    CSD18541F5MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
    88Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП