Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF530STRRPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF
;
IRF530STRRPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF530STRRPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 14A TO263Все характеристики

Минимальная цена IRF530STRRPBF при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF530STRRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 14A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 100В
    • Номинальный ток (ID) - 14А
    • Тип - N-канальный
    • Объемный транзистор
    • Пакет - TO263
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо учесть тепловые потери
    • Требуется надлежащее охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Измерительные приборы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF530STRRPBF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 8.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    670 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 88W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF530

Техническая документация

 IRF530STRRPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 67 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    387 ₽
  • 10
    268 ₽
  • 100
    202 ₽
  • 800
    152 ₽
  • 2400
    132 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF530STRRPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 14A TO263Все характеристики

Минимальная цена IRF530STRRPBF при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF530STRRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 14A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 100В
    • Номинальный ток (ID) - 14А
    • Тип - N-канальный
    • Объемный транзистор
    • Пакет - TO263
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Необходимо учесть тепловые потери
    • Требуется надлежащее охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Измерительные приборы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF530STRRPBF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 8.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    670 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 88W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF530

Техническая документация

 IRF530STRRPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SISA14DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
    106Кешбэк 15 баллов
    MMBF170Q-7-FMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    DMP31D0UFB4-7BMOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    FDI030N06MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
    484Кешбэк 72 балла
    MCH6336-TL-HMOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH
    37Кешбэк 5 баллов
    IPB147N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
    87Кешбэк 13 баллов
    BS170FTAMOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
    200Кешбэк 30 баллов
    FDMC6679AZMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
    361Кешбэк 54 балла
    IRF3709ZSTRRPBFMOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
    450Кешбэк 67 баллов
    FQD8P10TMMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    PSMN1R2-25YLDXMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    395Кешбэк 59 баллов
    HUFA76419P3MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
    69Кешбэк 10 баллов
    DMN61D8LQ-13Транзистор: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
    111Кешбэк 16 баллов
    PH3120L,115MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK56
    61Кешбэк 9 баллов
    NTD110N02R-001GMOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMS8880MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
    67Кешбэк 10 баллов
    FDN327NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
    24Кешбэк 3 балла
    IPA50R520CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-FP
    196Кешбэк 29 баллов
    FDU8778MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    107Кешбэк 16 баллов
    DMP32D5SFB-7BMOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
    74Кешбэк 11 баллов
    DMN2550UFA-7BMOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
    54Кешбэк 8 баллов
    BSC020N03LSGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
    252Кешбэк 37 баллов
    MCH5839-TL-WMOSFET P-CH 20V 1.5A SC88AFL
    37Кешбэк 5 баллов
    NTD20N03L27-1GMOSFET N-CH 30V 20A IPAK
    70Кешбэк 10 баллов
    FDMC86102LZMOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
    241Кешбэк 36 баллов
    IPI65R150CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
    333Кешбэк 49 баллов
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    891Кешбэк 133 балла
    FDPF680N10TMOSFET N-CH 100V 12A TO220F
    127Кешбэк 19 баллов
    ZXM61P03FTAMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    FQB25N33TMMOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП