Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF
;
IRF6892STRPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRF6892STRPBF при покупке от 322 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF6892STRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF International Rectifier 25V 999A DIRECTFET-LV

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 999 А
    • Номинальное напряжение: 25 В
    • Тип: DIRECTFET-LV
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение благодаря технологии DirectFET
    • Экономичность в использовании благодаря низкому энергопотреблению
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-девices
    • Необходимость специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленном оборудовании и машиностроении
    • Способствует повышению эффективности и надежности электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование (например, станки, линии автоматизации)
    • Энергоэффективные системы питания
    • Питание серверных шкафов и больших компьютерных систем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF6892STRPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Ta), 125A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7mOhm @ 28A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2510 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DIRECTFET™ S3C
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric S3C
  • по запросу
Минимально и кратно 322 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IRF6892STRPBF при покупке от 322 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF6892STRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF International Rectifier 25V 999A DIRECTFET-LV

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 999 А
    • Номинальное напряжение: 25 В
    • Тип: DIRECTFET-LV
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение благодаря технологии DirectFET
    • Экономичность в использовании благодаря низкому энергопотреблению
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-девices
    • Необходимость специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленном оборудовании и машиностроении
    • Способствует повышению эффективности и надежности электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование (например, станки, линии автоматизации)
    • Энергоэффективные системы питания
    • Питание серверных шкафов и больших компьютерных систем
Выбрано: Показать

Характеристики IRF6892STRPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Ta), 125A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7mOhm @ 28A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2510 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DIRECTFET™ S3C
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric S3C

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 322 шт