Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IRF740APBF-BE3
IRF740APBF-BE3

IRF740APBF-BE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF740APBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF740APBF-BE3 при покупке от 1 шт 645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF740APBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF740APBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF740

Техническая документация

 IRF740APBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1547 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    645 ₽
  • 50
    324 ₽
  • 100
    293 ₽
  • 500
    239 ₽
  • 1000
    221 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF740APBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF740APBF-BE3 при покупке от 1 шт 645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF740APBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF740APBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF740

Техническая документация

 IRF740APBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
    1 039Кешбэк 155 баллов
    MCG30N03A-TPMOSFET N-CH 30V 30A DFN3333
    150Кешбэк 22 балла
    AUIRF2907ZS-7PAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    525Кешбэк 78 баллов
    BSZ0911LSATMA1MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
    170Кешбэк 25 баллов
    RJL5013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    614Кешбэк 92 балла
    NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V
    3 338Кешбэк 500 баллов
    IXFA30N25X3MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
    1 362Кешбэк 204 балла
    RRR040P03HZGTLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    129Кешбэк 19 баллов
    BSC091N03MSCGATMA1POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    74Кешбэк 11 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    361Кешбэк 54 балла
    G09P02LP20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
    116Кешбэк 17 баллов
    EPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
    1 105Кешбэк 165 баллов
    NTH4L040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
    2 708Кешбэк 406 баллов
    SCT2450KEGC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 166Кешбэк 324 балла
    R6524ENZ4C13650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
    604Кешбэк 90 баллов
    2SK3367-Z-E2-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    242Кешбэк 36 баллов
    IPD18DP10LMATMA1TRENCH >=100V PG-TO252-3
    346Кешбэк 51 балл
    PJA3415A-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    54Кешбэк 8 баллов
    SSM3K44FS,LFMOSFET N-CH 30V 100MA SSM
    35Кешбэк 5 баллов
    HUF76129S3SN-CHANNEL POWER MOSFET
    174Кешбэк 26 баллов
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    592Кешбэк 88 баллов
    NXV75UPRNXV75UP/SOT23/TO-236AB
    52Кешбэк 7 баллов
    IRF100P218AKMA1MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
    1 394Кешбэк 209 баллов
    FQB25N33TM-F085MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    651Кешбэк 97 баллов
    IPU60R2K1CEAKMA1CONSUMER
    146Кешбэк 21 балл
    BSH205G2VLMOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
    91Кешбэк 13 баллов
    TPIC5621LDWN-CHANNEL POWER MOSFET
    425Кешбэк 63 балла
    SIHG068N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
    1 242Кешбэк 186 баллов
    NTB082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
    1 518Кешбэк 227 баллов
    RD3G03BATTL1PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
    338Кешбэк 50 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП