Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRF7665S2TRPBF

IRF7665S2TRPBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRF7665S2TRPBF при покупке от 5 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7665S2TRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF7665S2TRPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    62mOhm @ 8.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    515 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DirectFET™ Isometric SB
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric SB
Техническая документация
IRF7665S2TRPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 5 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IRF7665S2TRPBF при покупке от 5 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7665S2TRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF7665S2TRPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    62mOhm @ 8.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    515 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DirectFET™ Isometric SB
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric SB
Техническая документация
IRF7665S2TRPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории