Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IRF820PBF-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
IRF820PBF-BE3

IRF820PBF-BE3

IRF820PBF-BE3
;
IRF820PBF-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRF820PBF-BE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF820PBF-BE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF820PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF820PBF-BE3

IRF820PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 500В
    • Номинальный ток при рабочем напряжении: 2.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету TO220AB
  • Минусы:
    • Не подходит для высокоточной регулировки напряжения из-за нелинейности характеристики
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в преобразователях частоты и напряжения
    • Изоляция цифровых сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Портативные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики IRF820PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    360 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF820

Техническая документация

 IRF820PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2766 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    385 ₽
  • 10
    187 ₽
  • 100
    166 ₽
  • 1000
    121 ₽
  • 5000
    81 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRF820PBF-BE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF820PBF-BE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF820PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF820PBF-BE3

IRF820PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 500В
    • Номинальный ток при рабочем напряжении: 2.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету TO220AB
  • Минусы:
    • Не подходит для высокоточной регулировки напряжения из-за нелинейности характеристики
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в преобразователях частоты и напряжения
    • Изоляция цифровых сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Портативные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики IRF820PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    360 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF820

Техническая документация

 IRF820PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RFP2P08P-CHANNEL POWER MOSFET
    320Кешбэк 48 баллов
    MCQ4406A-TPMOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
    120Кешбэк 18 баллов
    MCQ16N03-TPMOSFET N-CH 30V 8-SOP
    250Кешбэк 37 баллов
    BTS114A E3045AN-CHANNEL POWER MOSFET
    563Кешбэк 84 балла
    IPB136N08N3GATMA1N-CHANNEL POWER MOSFET
    133Кешбэк 19 баллов
    2SK3116(0)-Z-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    502Кешбэк 75 баллов
    2SK3573-ZK-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    517Кешбэк 77 баллов
    FDPF39N20TLDTUMOSFET N-CH 200V 39A TO220F
    230Кешбэк 34 балла
    IRFW630BTM-FP001MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    33.3Кешбэк 4 балла
    FQB10N50CFTM-WSMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
    256Кешбэк 38 баллов
    MMFT1N10ET3SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    33.3Кешбэк 4 балла
    NVBGS6D5N15MCMOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7
    609Кешбэк 91 балл
    DI010N03PWMOSFET, 30V, 10A, N, 1.4W
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK3814-Z-E1-AZMP-3 AL
    608Кешбэк 91 балл
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJD25N03_L2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PBHV8115TLH215NEXPERIA PBHV8115X - SMALL SIGNA
    41Кешбэк 6 баллов
    SI3447DVP-CHANNEL MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    RQ5E040RPTLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    156Кешбэк 23 балла
    TSM038N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
    169Кешбэк 25 баллов
    UJ3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
    3 118Кешбэк 467 баллов
    DI035N10PTMOSFET, 100V, 35A, N, 25W
    154Кешбэк 23 балла
    STD5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
    428Кешбэк 64 балла
    DMP6050SPS-13MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
    183Кешбэк 27 баллов
    SIR188LDP-T1-RE3N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
    434Кешбэк 65 баллов
    DMPH4013SPSQ-13MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
    421Кешбэк 63 балла
    PJE8403_R1_00001SOT-523, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    SSM6K208FE,LFMOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
    115Кешбэк 17 баллов
    NVMFS6H836NT3GT8 80V SO8FL
    324Кешбэк 48 баллов
    DMG7430LFGQ-7MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
    193Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП