Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IRF9630PBF-BE3
IRF9630PBF-BE3

IRF9630PBF-BE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRF9630PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF9630PBF-BE3 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF9630PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF9630PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF9630

Техническая документация

 IRF9630PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1332 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    321 ₽
  • 10
    205 ₽
  • 100
    181 ₽
  • 1000
    132 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRF9630PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF9630PBF-BE3 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF9630PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF9630PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF9630

Техническая документация

 IRF9630PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP60R160P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
    552Кешбэк 82 балла
    BUK6Y61-60PXMOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
    260Кешбэк 39 баллов
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    473Кешбэк 70 баллов
    STH2N120K5-2AGMOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
    971Кешбэк 145 баллов
    PJW3P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    129Кешбэк 19 баллов
    IXFH32N100XMOSFET N-CH 1000V 32A TO247
    3 151Кешбэк 472 балла
    SSS10N60BN-CHANNEL POWER MOSFET
    172Кешбэк 25 баллов
    NVMFS5C410NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    EPC2039GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
    437Кешбэк 65 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    325Кешбэк 48 баллов
    IRF231N-CHANNEL POWER MOSFET
    255Кешбэк 38 баллов
    FDB86563-F085N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
    471Кешбэк 70 баллов
    NVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
    6 507Кешбэк 976 баллов
    AONS32310MOSFET N-CH 30V 60A/400A 8DFN
    524Кешбэк 78 баллов
    NTMFS4C020NT1GMOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
    279Кешбэк 41 балл
    ZXMP4A57E6QTAMOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
    199Кешбэк 29 баллов
    NTBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 399Кешбэк 209 баллов
    DMP2045UFY4-7MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
    92Кешбэк 13 баллов
    2N7002KW-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-323, MOSFET
    39.5Кешбэк 5 баллов
    STD18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
    303Кешбэк 45 баллов
    SUD35N10-26P-BE3MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
    537Кешбэк 80 баллов
    SPW35N60C3FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
    1 733Кешбэк 259 баллов
    IRF9533P-CHANNEL POWER MOSFET
    144Кешбэк 21 балл
    2SJ687-ZK-E2-AYSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    310Кешбэк 46 баллов
    SQM110P06-8M9L_GE3MOSFET P-CH 60V 110A TO263
    777Кешбэк 116 баллов
    IXTP64N10L2MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
    3 498Кешбэк 524 балла
    SQJA16EP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
    401Кешбэк 60 баллов
    FBG04N08ACGAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
    47 346Кешбэк 7 101 балл
    IPTG014N10NM5ATMA1MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
    952Кешбэк 142 балла
    BSZ0901NSATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
    271Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП