Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

IRFI9620GPBF

IRFI9620GPBF

IRFI9620GPBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
IRFI9620GPBF
Описание:
Транзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IRFI9620GPBF при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFI9620GPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRFI9620GPBF

Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-220-3
Корпус
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI9620

Техническая документация

IRFI9620GPBF.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

4268 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
511 ₽
10
332 ₽
100
230 ₽
500
188 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
IRFI9620GPBF
Описание:
Транзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IRFI9620GPBF при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFI9620GPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRFI9620GPBF

Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-220-3
Корпус
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI9620

Техническая документация

IRFI9620GPBF.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SI1469DH-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6

160Кешбэк 24 балла

SI2316BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

178Кешбэк 26 баллов

IXFQ20N50P3 MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

1 232Кешбэк 184 балла

DMP3099L-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23

43Кешбэк 6 баллов

HUFA75307D3ST MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

54Кешбэк 8 баллов

CSD17381F4T MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR

261Кешбэк 39 баллов

SIRA02DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

248Кешбэк 37 баллов

SI2371EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

83Кешбэк 12 баллов

STD26P3LLH6 MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

272Кешбэк 40 баллов

ZVN3320FTA MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3

103Кешбэк 15 баллов

FQPF46N15 MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

283Кешбэк 42 балла

IRF3808STRLPBF Транзистор: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

682Кешбэк 102 балла

CSD18504Q5A Транзистор: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON

272Кешбэк 40 баллов

RCX300N20 MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM

417Кешбэк 62 балла

IRF8301MTRPBF MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET

656Кешбэк 98 баллов

CSD17313Q2Q1T Транзистор: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

293Кешбэк 43 балла

DMN2005LPK-7 MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN

75Кешбэк 11 баллов

STP12NM50 MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

920Кешбэк 138 баллов

SI7439DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

760Кешбэк 114 баллов

FDS4675 MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

280Кешбэк 42 балла

PMV75UP,215 Транзистор: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB

58Кешбэк 8 баллов

FDMS0309AS POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

225Кешбэк 33 балла

SIHP12N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

360Кешбэк 54 балла

BSC052N08NS5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 95A TDSON

218Кешбэк 32 балла

DMP4015SK3-13 MOSFET P-CH 40V 14A TO252

236Кешбэк 35 баллов

IRF2804STRLPBF MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

565Кешбэк 84 балла

5LP01C-TB-E MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP

22.5Кешбэк 3 балла

IPP65R065C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3

1 354Кешбэк 203 балла

IRFL4105TRPBF Транзистор: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

131Кешбэк 19 баллов

EFC4612R-S-TR Транзистор: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

124Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - IGBT - одиночные

Варикапы и Варакторы

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды выпрямительные - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - JFET

Триодные тиристоры - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Полевые транзисторы - Модули

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диодные мосты - Модули

Диодные мосты

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

IGBT транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Принадлежности

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Высокочастотные диоды

Диоды выпрямительные - Сборки

Драйверы питания - Модули

Модули драйверов питания

Диоды - ВЧ

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды силовые

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - Специального назначения

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Симисторы

Симисторы - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали