Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFP360PBF
IRFP360PBF

IRFP360PBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFP360PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IRFP360PBF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFP360PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFP360PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    210 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRFP360
Техническая документация
 IRFP360PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFP360PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IRFP360PBF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFP360PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFP360PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    210 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRFP360
Техническая документация
 IRFP360PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDB20N50FMOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
    723Кешбэк 108 баллов
    FDMC86260MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
    265Кешбэк 39 баллов
    STWA57N65M5MOSFET N-CH 650V 42A TO247
    1 785Кешбэк 267 баллов
    PMV45EN2RТранзистор: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
    85Кешбэк 12 баллов
    BSP135H6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    221Кешбэк 33 балла
    IPD60R600C6ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
    144Кешбэк 21 балл
    BUK9Y41-80E,115MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
    134Кешбэк 20 баллов
    IXTH80N075L2MOSFET N-CH 75V 80A TO247
    1 712Кешбэк 256 баллов
    NDD60N550U1-35GMOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
    189Кешбэк 28 баллов
    ZVN4206AVMOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
    205Кешбэк 30 баллов
    TK6Q60W,S1VQ
    513Кешбэк 76 баллов
    STB85NF55LT4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    594Кешбэк 89 баллов
    NVMFS4C03NT1GMOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
    438Кешбэк 65 баллов
    AO3404AТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L
    80Кешбэк 12 баллов
    CSD18533Q5AMOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
    313Кешбэк 46 баллов
    IPI70N10SL16AKSA1MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
    285Кешбэк 42 балла
    SI4431BDY-T1-E3MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
    248Кешбэк 37 баллов
    STP20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
    574Кешбэк 86 баллов
    IRF840BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    PMZB350UPE,315MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
    65Кешбэк 9 баллов
    STL4N80K5MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
    429Кешбэк 64 балла
    PMZ390UN,315MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
    71Кешбэк 10 баллов
    FDM6296
    191Кешбэк 28 баллов
    STP10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    514Кешбэк 77 баллов
    IRF9530Транзистор: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    2N7002-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
    50Кешбэк 7 баллов
    DMTH4004SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
    240Кешбэк 36 баллов
    IPA60R250CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
    293Кешбэк 43 балла
    DMP21D0UT-7MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
    58Кешбэк 8 баллов
    STP11NM60NDMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    743Кешбэк 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП