Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFR420APBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFR420APBF

IRFR420APBF

IRFR420APBF
;
IRFR420APBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFR420APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR420APBF при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR420APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR420APBF

IRFR420APBF Vishay Semiconductors MOSFET N-Ч 500В 3,3А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 3,3А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Эффективное управление током
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Высокие транзитные потери при высоких нагрузках
    • Необходимо внимание к проектированию систем охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Реализация функций в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR420APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR420

Техническая документация

 IRFR420APBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 4409 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    199 ₽
  • 10
    197 ₽
  • 25
    152 ₽
  • 250
    141 ₽
  • 1000
    120 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFR420APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR420APBF при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR420APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR420APBF

IRFR420APBF Vishay Semiconductors MOSFET N-Ч 500В 3,3А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 3,3А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Эффективное управление током
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Высокие транзитные потери при высоких нагрузках
    • Необходимо внимание к проектированию систем охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Реализация функций в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR420APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR420

Техническая документация

 IRFR420APBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17308Q3TТранзистор: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
    295Кешбэк 44 балла
    CSD17577Q3ATMOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
    280Кешбэк 42 балла
    CSD19534KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    357Кешбэк 53 балла
    CSD22204WTMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD19501KCSMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    466Кешбэк 69 баллов
    CSD18502KCSMOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
    566Кешбэк 84 балла
    CSD19531KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    472Кешбэк 70 баллов
    CSD19536KTTTMOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    TPS1100DТранзистор: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
    273Кешбэк 40 баллов
    CSD18537NQ5ATMOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
    153Кешбэк 22 балла
    CSD18532Q5BMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    531Кешбэк 79 баллов
    CSD18542KCSMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
    433Кешбэк 64 балла
    CSD16340Q3MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
    309Кешбэк 46 баллов
    CSD19536KCSMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
    985Кешбэк 147 баллов
    SI2302-TPMOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    SI2301-TPMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    2N7002W-TPMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
    53Кешбэк 7 баллов
    SI3415-TPMOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
    88Кешбэк 13 баллов
    2N7002-GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    2N7002-HFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SSM3J338R,LFMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
    68Кешбэк 10 баллов
    SSM3J334R,LFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
    55Кешбэк 8 баллов
    SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
    22Кешбэк 3 балла
    SSM6K781G,LFMOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
    92Кешбэк 13 баллов
    SSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
    44Кешбэк 6 баллов
    SSM3K318R,LFMOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
    96Кешбэк 14 баллов
    SSM3J15FV,L3FMOSFET P-CH 30V 100MA VESM
    26Кешбэк 3 балла
    SSM3K72CFS,LFMOSFET N-CH 60V 170MA SSM
    29.5Кешбэк 4 балла
    TPHR8504PL,L1QMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    429Кешбэк 64 балла
    TPN7R506NH,L1QMOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
    181Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП