Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFU224PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFU224PBF

IRFU224PBF

IRFU224PBF
;
IRFU224PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFU224PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AAВсе характеристики

Минимальная цена IRFU224PBF при покупке от 1 шт 400.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU224PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFU224PBF

IRFU224PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 250 В
  • Разрядный ток (IDS(on)): 3.8 А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO251AA
    • Плюсы:
      • Высокая надежность: производительность на уровне промышленных стандартов.
    • Малый диссипационный теплопоток: эффективное охлаждение при высоких нагрузках.
  • Легкое управление: простота в управлении благодаря низкому пороговому напряжению.
    • Минусы:
      • Высокие токи: максимальный разрядный ток составляет 3.8 А, что может быть недостаточно для некоторых приложений.
    • Напряжение РД: 250 В может быть ограничением для некоторых высоковольтных применений.
    • Общее назначение:
      • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения
  • Изменение тока в электрических цепях
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
  • Выбрано: Показать

    Характеристики IRFU224PBF

    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      250 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      3.8A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      1.1Ohm @ 2.3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      14 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      260 pF @ 25 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      2.5W (Ta), 42W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      TO-251AA
    • Корпус
      TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Base Product Number
      IRFU224

    Техническая документация

     IRFU224PBF.pdf
    pdf. 0 kb
    • 1695 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      400 ₽
    • 10
      241 ₽
    • 100
      177 ₽
    • 1000
      125 ₽
    • 6000
      109 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Vishay Semiconductors
    • Артикул:
      IRFU224PBF
    • Описание:
      MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AAВсе характеристики

    Минимальная цена IRFU224PBF при покупке от 1 шт 400.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU224PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание IRFU224PBF

    IRFU224PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA

    • Основные параметры:
      • Напряжение РД: 250 В
    • Разрядный ток (IDS(on)): 3.8 А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO251AA
    • Плюсы:
      • Высокая надежность: производительность на уровне промышленных стандартов.
    • Малый диссипационный теплопоток: эффективное охлаждение при высоких нагрузках.
  • Легкое управление: простота в управлении благодаря низкому пороговому напряжению.
    • Минусы:
      • Высокие токи: максимальный разрядный ток составляет 3.8 А, что может быть недостаточно для некоторых приложений.
    • Напряжение РД: 250 В может быть ограничением для некоторых высоковольтных применений.
    • Общее назначение:
      • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения
  • Изменение тока в электрических цепях
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
  • Выбрано: Показать

    Характеристики IRFU224PBF

    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      250 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      3.8A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      1.1Ohm @ 2.3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      14 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      260 pF @ 25 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      2.5W (Ta), 42W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      TO-251AA
    • Корпус
      TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Base Product Number
      IRFU224

    Техническая документация

     IRFU224PBF.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      FDD6680AMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
      322Кешбэк 48 баллов
      FDD6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
      322Кешбэк 48 баллов
      FDFS2P102AMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
      295Кешбэк 44 балла
      FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
      156Кешбэк 23 балла
      FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
      124Кешбэк 18 баллов
      HUF75229P3MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
      215Кешбэк 32 балла
      FDD8782MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
      139Кешбэк 20 баллов
      FDD8444LMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
      332Кешбэк 49 баллов
      FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
      80Кешбэк 12 баллов
      HUF76013D3STMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
      83Кешбэк 12 баллов
      FDMS8674MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
      156Кешбэк 23 балла
      FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
      258Кешбэк 38 баллов
      FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
      119Кешбэк 17 баллов
      SFR9110TFMOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
      154Кешбэк 23 балла
      FDU8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
      163Кешбэк 24 балла
      FDS9412MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
      61Кешбэк 9 баллов
      NDS9430MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
      174Кешбэк 26 баллов
      SSN1N45BBUMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
      46Кешбэк 6 баллов
      FDN372SMOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
      43Кешбэк 6 баллов
      FQPF9N50CFMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
      198Кешбэк 29 баллов
      HUFA75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
      446Кешбэк 66 баллов
      FDS7096N3MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
      232Кешбэк 34 балла
      FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
      258Кешбэк 38 баллов
      FDD8770MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
      109Кешбэк 16 баллов
      FDMA7628FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
      85Кешбэк 12 баллов
      IRFS540AMOSFET N-CH 100V 17A TO220F
      193Кешбэк 28 баллов
      FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
      267Кешбэк 40 баллов
      FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
      256Кешбэк 38 баллов
      FDU6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK
      148Кешбэк 22 балла
      FDD6782AMOSFET N-CH 25V 20A DPAK
      107Кешбэк 16 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Транзисторы - Модули
      Полевые транзисторы - Модули
      Варикапы и Варакторы
      Тиристоры - TRIACs
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Модули драйверов питания
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Драйверы питания - Модули
      Тиристоры - SCR
      Диодные мосты
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Полевые транзисторы - Сборки
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Высокочастотные диоды
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Принадлежности
      Симисторы
      Диоды выпрямительные - Модули
      Транзисторы - Специального назначения
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      IGBT транзисторы
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Транзисторы - IGBT - модули
      Биполярные транзисторы
      Диоды - мостовые выпрямители
      Диодные мосты - Модули
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Симисторы - Модули
      Диоды - выпрямители - массивы
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Триодные тиристоры - Модули
      Диоды силовые
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Диоды - ВЧ
      Тиристоры - SCR - модули
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП