Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFU420APBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFU420APBF

IRFU420APBF

IRFU420APBF
;
IRFU420APBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFU420APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AAВсе характеристики

Минимальная цена IRFU420APBF при покупке от 1 шт 435.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU420APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFU420APBF

IRFU420APBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 500В
    • Номинальный ток (ID(on)): 3.3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO251AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Работа при высоких температурах
    • Малые размеры и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение потерь энергии
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Питательных системах
    • Автомобильной электронике
    • Инверторах
    • Приводах двигателей
    • Энергосберегающих системах
Выбрано: Показать

Характеристики IRFU420APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251AA
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    IRFU420

Техническая документация

 IRFU420APBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 1153 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    435 ₽
  • 10
    235 ₽
  • 100
    187 ₽
  • 500
    156 ₽
  • 3000
    118 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFU420APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AAВсе характеристики

Минимальная цена IRFU420APBF при покупке от 1 шт 435.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU420APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFU420APBF

IRFU420APBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 500В
    • Номинальный ток (ID(on)): 3.3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO251AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Работа при высоких температурах
    • Малые размеры и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение потерь энергии
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Питательных системах
    • Автомобильной электронике
    • Инверторах
    • Приводах двигателей
    • Энергосберегающих системах
Выбрано: Показать

Характеристики IRFU420APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251AA
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    IRFU420

Техническая документация

 IRFU420APBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 204Кешбэк 180 баллов
    FQT4N25TFMOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
    109Кешбэк 16 баллов
    SI7862ADP-T1-E3MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
    934Кешбэк 140 баллов
    PMN48XPAXMOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    NTD4858NT4GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    IRFS41N15DTRLPHEXFET POWER MOSFET
    545Кешбэк 81 балл
    STD3N62K3Транзистор: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
    110Кешбэк 16 баллов
    ZVN4106FTAMOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    CSD16410Q5AMOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
    241Кешбэк 36 баллов
    FDD86113LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    IPD082N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
    252Кешбэк 37 баллов
    IXFH18N90PMOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
    2 295Кешбэк 344 балла
    NP50P04SDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 50A TO252
    499Кешбэк 74 балла
    IRFS3107TRLPBFMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    899Кешбэк 134 балла
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFR1N60ATRPBFMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    STD65N55F3MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    STU9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
    267Кешбэк 40 баллов
    STD9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    VN3205N8-GMOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFI840GPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    298Кешбэк 44 балла
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFR024MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    FDA2712MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
    2 175Кешбэк 326 баллов
    FDS6675BZТранзистор: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    160Кешбэк 24 балла
    FQP17N08MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    76Кешбэк 11 баллов
    STL24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
    706Кешбэк 105 баллов
    AUIRLR3105MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП