Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IRFZ44PBF-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
IRFZ44PBF-BE3

IRFZ44PBF-BE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFZ44PBF-BE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFZ44PBF-BE3 при покупке от 1 шт 398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFZ44PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFZ44PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 31A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFZ44

Техническая документация

 IRFZ44PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 593 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    398 ₽
  • 50
    208 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFZ44PBF-BE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFZ44PBF-BE3 при покупке от 1 шт 398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFZ44PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFZ44PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 31A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFZ44

Техническая документация

 IRFZ44PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPN80R1K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
    201Кешбэк 30 баллов
    DMTH61M8LPS-13MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
    538Кешбэк 80 баллов
    IXFP80N25X3MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
    1 827Кешбэк 274 балла
    RFD14N06LSM9AN-CHANNEL POWER MOSFET
    102Кешбэк 15 баллов
    LSIC1MO170E0750SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
    1 535Кешбэк 230 баллов
    TSM7ND65CIMOSFET N-CH 650V 7A ITO220
    804Кешбэк 120 баллов
    SSM3K361TU,LXHFAECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
    91Кешбэк 13 баллов
    IPA60R170CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 8A TO220
    597Кешбэк 89 баллов
    RJK0390DPA-02#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    TSM4800N15CX6 RFGMOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
    144Кешбэк 21 балл
    STD8N60DM2MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
    296Кешбэк 44 балла
    FDS6676SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    405Кешбэк 60 баллов
    SISH434DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
    298Кешбэк 44 балла
    FDMC8327L-L701FET 40V 9.7 MOHM MLP33
    435Кешбэк 65 баллов
    RJK03J7DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK3294-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    669Кешбэк 100 баллов
    HUF76113T3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    150Кешбэк 22 балла
    SIR500DP-T1-RE3N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
    407Кешбэк 61 балл
    SIHB120N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
    999Кешбэк 149 баллов
    SI1308EDL-T1-BE3MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
    85Кешбэк 12 баллов
    AOSP36326CMOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    DMP1100UCB4-7MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
    137Кешбэк 20 баллов
    NVD5C454NLT4GMOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    MMBT7002KMOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
    14.3Кешбэк 2 балла
    IPBE65R230CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
    692Кешбэк 103 балла
    FDBL86361-F085MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
    1 147Кешбэк 172 балла
    MSJPF11N65-BPMOSFET N-CH 650V 11A TO220F
    547Кешбэк 82 балла
    FQU5N50CTU-WSMOSFET N-CH 500V 4A IPAK
    67Кешбэк 10 баллов
    2SJ645-EP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
    370Кешбэк 55 баллов
    STF5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
    455Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП