IRG4BC30SPBF-INF

IRG4BC30SPBF-INF Infineon Technologies Транзистор: IGBT, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N

• Основные параметры:
  • I(C) = 34A — максимальный ток collector (тока нагрузки)
  • V(BR)CES = 600V — напряжение блокировки Collector-Emitter в силовом режиме
  • Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Направление: N
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе в средних и больших мощностях
  • Высокий коэффициент усиления
  • Низкий сопротивление при прохождении тока
  • Малый ток утечки при открытом статоре
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Сложная конструкция и технология производства
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
• Общее назначение:
  • Передача и преобразование энергии в различных приложениях
  • Управление токами в электропитании и приводах
  • Использование в системах управления двигателем
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания и приводов
  • Промышленные приводы и системы автоматизации
  • Энергосберегающие устройства
  • Системы солнечной энергии
  • Беспроводные системы передачи энергии