IRG8P45N65UD1PBF

IRG8P45N65 - IGBT транзистор

• Напряжение блокировки (V_CEO): 65В
• Рейтингная токовая плотность (I_TO): 45А
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Основные параметры: высокая эффективность, низкое напряжение включенного состояния, быстрый темп переключения

Плюсы:

• Эффективность: высокий КПД, особенно при работе на средних и больших мощностях
• Быстрота переключения: позволяет уменьшить размеры и стоимость конденсаторов и индуктивностей в системах
• Низкое напряжение включения: уменьшает энергопотребление

Минусы:

• Сложность управления: требует более сложного регулирования напряжения для поддержания постоянного состояния тока
• Тепловые потери: выше по сравнению с MOSFET из-за более высокого тока включения

Общее назначение:

• Применяется в промышленных преобразователях напряжения
• Используется в системах управления двигателем
• Обеспечивает эффективное управление мощностью в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
• Участвует в работе электротранспорта и трансформаторных установках