IRG8P50N120KDPBF

Размеры и характеристики:

• Марка: IRG8P50N120KDPBF
• Производитель: International Rectifier
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Ускоренная способность восстановления: Ultrafast Soft Recovery

Основные параметры:

• Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO): 500 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 8 А
• Номинальная мощность (P_ON): 120 ВА
• Коэффициент усиления (h_FE): не указан, обычно для IGBT он зависит от конкретной модели

Плюсы:

• Ускоренная способность восстановления: Уменьшает пиковые токи при выключении, что улучшает надежность и увеличивает срок службы устройства.
• Эффективность: Высокая эффективность в работе, особенно при частотах свыше 20 кГц.
• Малый размер: Изделие занимает меньше места, что важно для компактных электронных устройств.

Минусы:

• Высокие потери: При низких частотах могут возникнуть значительные тепловые потери.
• Сложность управления: Требует точного управления для предотвращения перегрева и повреждений.

Общее назначение:

• Используется в различных приложениях, требующих высокую эффективность и быструю скорость восстановления, таких как:
• Промышленное оборудование: Моторные агрегаты, преобразователи частоты.
• Автомобильные системы: Электрические и гибридные автомобили.
• Энергетические системы: Системы солнечной энергии, батарейные системы.