IRG8P75N65UD1PBF

IRG8P75N65 - 650В 45А IGBT

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 650В
• Номинальный ток: 45А
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Плюсы:
• Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
• Малый размер и легкий вес
• Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
• Упрощенная схема управления
• Минусы:
• Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
• Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
• Общее назначение:
• Используется для управления мощными электрическими цепями
• Подходит для применения в системах преобразования энергии
• Применяется в промышленных и бытовых приборах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Промышленные преобразователи частоты
• Системы управления двигателей
• Бытовые приборы с переменным напряжением
• Солнечные батареи и системы хранения энергии