Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRGB4715DPBF

IRGB4715DPBF

IRGB4715DPBF
;
IRGB4715DPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRGB4715DPBF при покупке от 169 шт 330.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRGB4715DPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRGB4715DPBF

IRGB4715DPBF – это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для работы с напряжением до 650В и собранный в корпусе TO-220AB.

Основные параметры:

  • VCE (напряжение коллектор-эмиттер): 650В
  • IC (ток коллектора): 15A
  • VCE(sat) (напряжение насыщения коллектор-эмиттер): 2.15В (при IC = 15A, VGE = 15В)
  • VGE (напряжение затвор-эмиттер): ±20В
  • PD (рассеиваемая мощность): 100Вт (при TC = 25°C)
  • fsw (частота переключения): До 100кГц

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (650В)
  • Низкое напряжение насыщения VCE(sat) – уменьшает потери мощности
  • Высокая частота переключения – подходит для импульсных приложений
  • Простота управления – требует небольшого тока управления затвором
  • Надёжность и долговечность

Минусы:

  • Более медленное переключение по сравнению с MOSFET
  • Наличие паразитной индуктивности в конструкции

Общее назначение:

IRGB4715DPBF используется в качестве силового ключа в различных устройствах, требующих эффективного управления мощностью.

Применение:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Преобразователи напряжения
  • Сварочные аппараты
  • Системы управления двигателями
  • Индукционный нагрев
  • LED освещение
Выбрано: Показать

Характеристики IRGB4715DPBF

Техническая документация

IRGB4715DPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 599 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 169 шт
  • Количество
    Цена
  • 169
    330 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IRGB4715DPBF при покупке от 169 шт 330.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRGB4715DPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRGB4715DPBF

IRGB4715DPBF – это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для работы с напряжением до 650В и собранный в корпусе TO-220AB.

Основные параметры:

  • VCE (напряжение коллектор-эмиттер): 650В
  • IC (ток коллектора): 15A
  • VCE(sat) (напряжение насыщения коллектор-эмиттер): 2.15В (при IC = 15A, VGE = 15В)
  • VGE (напряжение затвор-эмиттер): ±20В
  • PD (рассеиваемая мощность): 100Вт (при TC = 25°C)
  • fsw (частота переключения): До 100кГц

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (650В)
  • Низкое напряжение насыщения VCE(sat) – уменьшает потери мощности
  • Высокая частота переключения – подходит для импульсных приложений
  • Простота управления – требует небольшого тока управления затвором
  • Надёжность и долговечность

Минусы:

  • Более медленное переключение по сравнению с MOSFET
  • Наличие паразитной индуктивности в конструкции

Общее назначение:

IRGB4715DPBF используется в качестве силового ключа в различных устройствах, требующих эффективного управления мощностью.

Применение:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Преобразователи напряжения
  • Сварочные аппараты
  • Системы управления двигателями
  • Индукционный нагрев
  • LED освещение
Выбрано: Показать

Характеристики IRGB4715DPBF

Техническая документация

IRGB4715DPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 169 шт