Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRL530NSTRLPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF
;
IRL530NSTRLPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRL530NSTRLPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRL530NSTRLPBF при покупке от 1 шт 311.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRL530NSTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRL530NSTRLPBF

IRL530N - транзистор MOSFET N-канального типа с напряжением разрыва 100В и током непрерывного тока 17А, установленный в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS) - 100В
    • Ток непрерывного тока (ID) - 17А
    • Резистанция в отключённом состоянии (RDS(on)) - ≤2.5Ω при токе 10A
    • Потребляемая мощность при RDS(on) - ≤2.9W при токе 10A
    • Температурный коэффициент RDS(on) - +65%/°C
    • Температурный диапазон работы -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток пропускания
    • Низкий резистивный сопротивление в режиме ON
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета D2PAK для эффективного охлаждения
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при работе в режиме PWM
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях мощности
    • Работа в системах управления двигателей
    • Подключение и управление электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Электроприборах и бытовой технике
    • Промышленных системах управления
    • Системах управления силовыми установками
Выбрано: Показать

Характеристики IRL530NSTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRL530

Техническая документация

 IRL530NSTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 4005 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    311 ₽
  • 10
    213 ₽
  • 50
    174 ₽
  • 250
    135 ₽
  • 800
    108 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRL530NSTRLPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRL530NSTRLPBF при покупке от 1 шт 311.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRL530NSTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRL530NSTRLPBF

IRL530N - транзистор MOSFET N-канального типа с напряжением разрыва 100В и током непрерывного тока 17А, установленный в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS) - 100В
    • Ток непрерывного тока (ID) - 17А
    • Резистанция в отключённом состоянии (RDS(on)) - ≤2.5Ω при токе 10A
    • Потребляемая мощность при RDS(on) - ≤2.9W при токе 10A
    • Температурный коэффициент RDS(on) - +65%/°C
    • Температурный диапазон работы -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток пропускания
    • Низкий резистивный сопротивление в режиме ON
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета D2PAK для эффективного охлаждения
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при работе в режиме PWM
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях мощности
    • Работа в системах управления двигателей
    • Подключение и управление электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Электроприборах и бытовой технике
    • Промышленных системах управления
    • Системах управления силовыми установками
Выбрано: Показать

Характеристики IRL530NSTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRL530

Техническая документация

 IRL530NSTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMS86520Транзистор: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
    149Кешбэк 22 балла
    FDPF5N50NZFMOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
    232Кешбэк 34 балла
    AUIRF1018ESAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRFZ34NAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    203Кешбэк 30 баллов
    HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FDS4685MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
    169Кешбэк 25 баллов
    FDPF8N50NZUMOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
    178Кешбэк 26 баллов
    VP2110K1-GMOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
    154Кешбэк 23 балла
    SSM6K781G,LFMOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
    95Кешбэк 14 баллов
    2SK3541T2LMOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
    71Кешбэк 10 баллов
    RUM001L02T2CLMOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
    54Кешбэк 8 баллов
    FDN86246MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
    247Кешбэк 37 баллов
    SI7716ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
    284Кешбэк 42 балла
    NVD4804NT4GMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
    122Кешбэк 18 баллов
    IPD65R600C6BTMA1MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
    169Кешбэк 25 баллов
    BSO065N03MSGXUMA1
    80Кешбэк 12 баллов
    SFT1431-WMOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
    76Кешбэк 11 баллов
    IRLR2908TRPBFMOSFET N-CH 80V 30A DPAK
    346Кешбэк 51 балл
    IPZ40N04S5L7R4ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    94Кешбэк 14 баллов
    IPP80N04S2L03AKSA1MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    323Кешбэк 48 баллов
    SIB433EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    146Кешбэк 21 балл
    FDD6780MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
    74Кешбэк 11 баллов
    RJK0701DPN-E0#T2MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
    808Кешбэк 121 балл
    IPB120N10S405ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    574Кешбэк 86 баллов
    ISL9N303AS3MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    571Кешбэк 85 баллов
    NVTFS5116PLTWGMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
    205Кешбэк 30 баллов
    SIA459EDJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
    139Кешбэк 20 баллов
    PHT6NQ10T,135MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
    128Кешбэк 19 баллов
    BUK9675-100A,118MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
    296Кешбэк 44 балла
    HUF76009D3STMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП