Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRL640PBF-BE3

IRL640PBF-BE3

IRL640PBF-BE3
;
IRL640PBF-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRL640PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 200V 17A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRL640PBF-BE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRL640PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRL640PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 10A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRL640

Техническая документация

IRL640PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRL640PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 200V 17A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRL640PBF-BE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRL640PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRL640PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 10A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRL640

Техническая документация

IRL640PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории