Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRLZ44PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRLZ44PBF

IRLZ44PBF

IRLZ44PBF
;
IRLZ44PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRLZ44PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRLZ44PBF при покупке от 1 шт 282.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLZ44PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLZ44PBF

IRLZ44PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток: 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий коэффициент тепловыделения
    • Компактный размер пакета TO220AB
  • Минусы:
    • Небольшой ресурс при частых переключениях
    • Необходимо учитывать температурную стабильность
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Драйверы схем управления
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Питание электроники
    • Промышленное оборудование
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IRLZ44PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 31A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRLZ44

Техническая документация

 IRLZ44PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    в наличии
  • 2245 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    282 ₽
  • 10
    277 ₽
  • 100
    273 ₽
  • 500
    225 ₽
  • 1000
    215 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRLZ44PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRLZ44PBF при покупке от 1 шт 282.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLZ44PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLZ44PBF

IRLZ44PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток: 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий коэффициент тепловыделения
    • Компактный размер пакета TO220AB
  • Минусы:
    • Небольшой ресурс при частых переключениях
    • Необходимо учитывать температурную стабильность
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Драйверы схем управления
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Питание электроники
    • Промышленное оборудование
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IRLZ44PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 31A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRLZ44

Техническая документация

 IRLZ44PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDAF75N28MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
    665Кешбэк 99 баллов
    FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    281Кешбэк 42 балла
    FQN1N50CBUMOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
    64Кешбэк 9 баллов
    FQP32N12V2MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
    143Кешбэк 21 балл
    FQU1N50TUMOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
    47.5Кешбэк 7 баллов
    HUF76013D3SMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    66Кешбэк 9 баллов
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    115Кешбэк 17 баллов
    FQP7P20MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
    172Кешбэк 25 баллов
    FDU6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
    174Кешбэк 26 баллов
    FQP44N08MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
    177Кешбэк 26 баллов
    FQI3N30TUMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    133Кешбэк 19 баллов
    FDP5N50MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
    128Кешбэк 19 баллов
    FDAF62N28MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
    535Кешбэк 80 баллов
    HUF75925D3STMOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
    97Кешбэк 14 баллов
    HUF75631S3SN CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
    203Кешбэк 30 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    291Кешбэк 43 балла
    HUF76645P3MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
    420Кешбэк 63 балла
    FQI10N20CTUMOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
    108Кешбэк 16 баллов
    HUF75321D3MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
    79Кешбэк 11 баллов
    FQA90N10V2MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
    698Кешбэк 104 балла
    FDPF10N50FTMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
    232Кешбэк 34 балла
    FCU4300N80ZMOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
    133Кешбэк 19 баллов
    FQPF7N80CMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
    325Кешбэк 48 баллов
    2SK4085LS-1EMOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
    292Кешбэк 43 балла
    FQI3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
    217Кешбэк 32 балла
    FQI2P25TUMOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
    217Кешбэк 32 балла
    FQI5N80TUMOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
    194Кешбэк 29 баллов
    FDMS8848NZMOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
    272Кешбэк 40 баллов
    IRFR1208.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
    121Кешбэк 18 баллов
    HUFA76639P3MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
    177Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП