Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
ISC027N10NM6ATMA1

ISC027N10NM6ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена ISC027N10NM6ATMA1 при покупке от 5000 шт 436 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISC027N10NM6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ISC027N10NM6ATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Ta), 192A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 116µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5500 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 217W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8 FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    ISC027N
  • 5000 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 5000
    436 ₽

Минимально и кратно 5000 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена ISC027N10NM6ATMA1 при покупке от 5000 шт 436 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISC027N10NM6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ISC027N10NM6ATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Ta), 192A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 116µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5500 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 217W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8 FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    ISC027N