Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
ISC036N04NM5ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
ISC036N04NM5ATMA1

ISC036N04NM5ATMA1

ISC036N04NM5ATMA1
;
ISC036N04NM5ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    ISC036N04NM5ATMA1
  • Описание:
    40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8Все характеристики

Минимальная цена ISC036N04NM5ATMA1 при покупке от 1 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISC036N04NM5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ISC036N04NM5ATMA1

ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 40В
  • Максимальная частота: 3.6МГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к избыточному напряжению
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее дорогими вариантами
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных преобразователях питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
  • Электронные блоки питания для ноутбуков и других устройств
  • Выбрано: Показать

    Характеристики ISC036N04NM5ATMA1

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      21A (Ta), 98A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      7V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      3.6mOhm @ 49A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      3.4V @ 23µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      28 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2000 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      3W (Ta), 63W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PG-TDSON-8 FL
    • Корпус
      8-PowerTDFN
    • Base Product Number
      ISC036N

    Техническая документация

     ISC036N04NM5ATMA1.pdf
    pdf. 0 kb
    • 5724 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      252 ₽
    • 10
      156 ₽
    • 500
      82 ₽
    • 5000
      61 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Infineon Technologies
    • Артикул:
      ISC036N04NM5ATMA1
    • Описание:
      40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8Все характеристики

    Минимальная цена ISC036N04NM5ATMA1 при покупке от 1 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISC036N04NM5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание ISC036N04NM5ATMA1

    ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 40В
    • Максимальная частота: 3.6МГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к избыточному напряжению
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее дорогими вариантами
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных преобразователях питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
  • Электронные блоки питания для ноутбуков и других устройств
  • Выбрано: Показать

    Характеристики ISC036N04NM5ATMA1

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      21A (Ta), 98A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      7V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      3.6mOhm @ 49A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      3.4V @ 23µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      28 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2000 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      3W (Ta), 63W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PG-TDSON-8 FL
    • Корпус
      8-PowerTDFN
    • Base Product Number
      ISC036N

    Техническая документация

     ISC036N04NM5ATMA1.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      YJL3401AP-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
      9.7Кешбэк 1 балл
      SIDR610DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
      824Кешбэк 123 балла
      AONR66922MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
      367Кешбэк 55 баллов
      BS170-D75ZMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
      49Кешбэк 7 баллов
      BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
      196Кешбэк 29 баллов
      FDBL86566-F085MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
      467Кешбэк 70 баллов
      IRFL210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
      230Кешбэк 34 балла
      DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
      70Кешбэк 10 баллов
      SIDR392DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
      582Кешбэк 87 баллов
      SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
      376Кешбэк 56 баллов
      2SK1274-T-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
      141Кешбэк 21 балл
      SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
      91Кешбэк 13 баллов
      MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
      59Кешбэк 8 баллов
      IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
      580Кешбэк 87 баллов
      NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
      493Кешбэк 73 балла
      SIHJ6N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
      545Кешбэк 81 балл
      SQS486CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
      185Кешбэк 27 баллов
      IPD50P04P413ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
      300Кешбэк 45 баллов
      RQ6E045TNTRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
      130Кешбэк 19 баллов
      ISC036N04NM5ATMA140V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
      252Кешбэк 37 баллов
      IPB60R280P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
      434Кешбэк 65 баллов
      SSM6K810R,LFSMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
      133Кешбэк 19 баллов
      SUD19P06-60-BE3MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
      319Кешбэк 47 баллов
      FDMS3D5N08LCMOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
      661Кешбэк 99 баллов
      SISS61DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
      241Кешбэк 36 баллов
      IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
      296Кешбэк 44 балла
      SSM3J371R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
      87Кешбэк 13 баллов
      SQJ488EP-T1_BE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
      427Кешбэк 64 балла
      SQJ488EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
      426Кешбэк 63 балла
      PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
      126Кешбэк 18 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Биполярные транзисторы
      Диоды - мостовые выпрямители
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Симисторы
      Транзисторы - Специального назначения
      Транзисторы - JFET
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Диоды - выпрямители - массивы
      Высокочастотные диоды
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Диодные мосты - Модули
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Диоды - ВЧ
      Тиристоры - TRIACs
      Полевые транзисторы - Модули
      Диоды силовые
      Тиристоры - SCR - модули
      Тиристоры - SCR
      Полевые транзисторы - Сборки
      Симисторы - Модули
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диодные мосты
      Драйверы питания - Модули
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Модули драйверов питания
      Варикапы и Варакторы
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Транзисторы - IGBT - модули
      IGBT транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Транзисторы - Модули
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Принадлежности
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Триодные тиристоры - Модули
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП