ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST от On Semiconductor / Fairchild — это изолированный гейт-биполярный транзистор (IGBT).

• Основные параметры:
• Рейтингное напряжение коллектора-эмиттера: 900 В
• Рейтингная токовая плотность: 15 А/см²
• Рейтингная частота переключения: до 25 кГц
• Температурный диапазон работы: от -40°C до +175°C

• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в высоких напряжениях
• Низкое значение дроссельного сопротивления
• Устойчивость к импульсным нагрузкам
• Длительный срок службы благодаря надежной конструкции

• Минусы:
• Высокие затраты на производство по сравнению с MOSFET
• Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева
• Комплексная структура требует более сложного дизайна системы

Общее назначение: ИЗЛ9В2540С3СТ используется для управления токами в различных приложениях, где необходимы высокие напряжения и токи. Это включает в себя:

• Автомобильные системы питания и зарядки аккумуляторов
• Промышленное оборудование (например, электродвигатели)
• Энергосберегающие системы
• Оборудование для управления мощностью