ISL9V3036S3ST

ISL9V3036S3ST от On Semiconductor — IGBT

• Номинальное напряжение: 360В
• Максимальный ток: 17А
• Управляющее напряжение: 1.58В
• Мощность при переходе: 300MJ
• Форм-фактор: D

Основные параметры:

• Эффективность: Высокая эффективность благодаря низкому управляющему напряжению.
• Теплопроводность: Высокая теплопроводность, позволяющая передавать значительную мощность без перегрева.
• Скорость переключения: Быстрое переключение, снижающее потери энергии.
• Рабочая температура: Высокая рабочая температура до +175°C.

Плюсы:

• Энергоэффективность: Низкое управляющее напряжение и высокая теплопроводность обеспечивают минимальные потери энергии.
• Высокая надежность: Долговечность и стабильная работа даже при высоких температурах.
• Широкий диапазон применения: Подходит для различных приложений, включая промышленное оборудование, транспорт и солнечные панели.

Минусы:

• Цена: Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
• Зависимость от температуры: Потери увеличиваются при повышении температуры.

Общее назначение:

• Использование в промышленных преобразователях напряжения и частоты.
• Применение в системах управления двигателями.
• Интеграция в солнечные панели и системы хранения энергии.
• Работа в транспортных системах, включая электромобили и гибридные автомобили.

В каких устройствах применяется:

• Промышленные преобразователи.
• Системы управления двигателем.
• Солнечные панели и системы хранения энергии.
• Электромобили и гибридные автомобили.
• Трансформаторы и инверторы.