Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
ISP12DP06NMXTSA1
ISP12DP06NMXTSA1

ISP12DP06NMXTSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    ISP12DP06NMXTSA1
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена ISP12DP06NMXTSA1 при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISP12DP06NMXTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ISP12DP06NMXTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 2.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 520µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    ISP12DP06
Техническая документация
 ISP12DP06NMXTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5821 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    209 ₽
  • 10
    128 ₽
  • 500
    70 ₽
  • 2000
    55 ₽
  • 10000
    48 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    ISP12DP06NMXTSA1
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена ISP12DP06NMXTSA1 при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISP12DP06NMXTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ISP12DP06NMXTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 2.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 520µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    ISP12DP06
Техническая документация
 ISP12DP06NMXTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD50P04P4L11ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
    247Кешбэк 37 баллов
    IPDD60R125CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
    690Кешбэк 103 балла
    G2R120MT33JSIC MOSFET N-CH TO263-7
    25 575Кешбэк 3 836 баллов
    IRFNL210BTA-FP001IRFNL210 - POWER MOSFET, N-CHANN
    53Кешбэк 7 баллов
    IPD60R210PFD7SAUMA1MOSFET N-CH 650V 16A TO252-3
    161Кешбэк 24 балла
    NTH4L045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    1 221Кешбэк 183 балла
    PJA3416AE_R1_00001SOT-23, MOSFET
    73Кешбэк 10 баллов
    FDP053N08B-F102MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
    489Кешбэк 73 балла
    IMZ120R090M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
    1 658Кешбэк 248 баллов
    RSQ015N06HZGTRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    159Кешбэк 23 балла
    BSC084P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
    110Кешбэк 16 баллов
    IPBE65R115CFD7AATMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
    972Кешбэк 145 баллов
    RJK5020DPK01-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    1 232Кешбэк 184 балла
    TJ10S04M3L,LXHQMOSFET P-CH 40V 10A DPAK
    167Кешбэк 25 баллов
    SIHB30N60ET1-GE3N-CHANNEL 600V
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IXFN110N85XMOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
    13 303Кешбэк 1 995 баллов
    IPP65R065C7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    1 217Кешбэк 182 балла
    SIS888DN-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
    399Кешбэк 59 баллов
    IPD60R1K5CEAUMA1MOSFET N-CH 650V 5A TO252
    165Кешбэк 24 балла
    IAUT300N08S5N011ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
    1 100Кешбэк 165 баллов
    IPD100N04S4L02ATMA1MOSFET N-CHANNEL_30/40V
    439Кешбэк 65 баллов
    2SK4100LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    RQ5A025ZPTLMOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
    115Кешбэк 17 баллов
    SIR178DP-T1-RE3MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
    388Кешбэк 58 баллов
    PJA3415AE_R1_00001SOT-23, MOSFET
    77Кешбэк 11 баллов
    SIR180DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
    405Кешбэк 60 баллов
    DMN31D5L-13MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    PSMN1R5-50YLHXPSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
    787Кешбэк 118 баллов
    IPB60R125CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2
    789Кешбэк 118 баллов
    SQM40020EL_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO263
    542Кешбэк 81 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП