Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
IV1D12010O2
  • В избранное
  • В сравнение
IV1D12010O2

IV1D12010O2

IV1D12010O2
;
IV1D12010O2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Inventchip
  • Артикул:
    IV1D12010O2
  • Описание:
    SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2Все характеристики

Минимальная цена IV1D12010O2 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IV1D12010O2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IV1D12010O2

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    28A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    575pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C (TJ)

Техническая документация

 IV1D12010O2.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Inventchip
  • Артикул:
    IV1D12010O2
  • Описание:
    SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2Все характеристики

Минимальная цена IV1D12010O2 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IV1D12010O2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IV1D12010O2

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    28A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    575pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C (TJ)

Техническая документация

 IV1D12010O2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП