Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IXA20I1200PZ-TUB
  • В избранное
  • В сравнение
IXA20I1200PZ-TUB

IXA20I1200PZ-TUB

IXA20I1200PZ-TUB
;
IXA20I1200PZ-TUB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXA20I1200PZ-TUB
  • Описание:
    Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2Все характеристики

Минимальная цена IXA20I1200PZ-TUB при покупке от 1 шт 1830.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA20I1200PZ-TUB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXA20I1200PZ-TUB

IXA20I1200PZ-TUB IXYS Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение:
      1200 В
    • Рейтингный ток:
      20 А
    • Тип устройства:
      TO-263D2 (DISC)
    • Тип:
      IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель:
      IXYS
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкий ток срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Регулирование напряжения в источниках питания
    • Использование в промышленных системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Источниках питания
    • Системах энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики IXA20I1200PZ-TUB

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    38 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    165 W
  • Энергия переключения
    1.6mJ (on), 1.7mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    47 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    48ns/230ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 56Ohm, 15V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263HV
  • Base Product Number
    IXA20I1200
  • 300 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 830 ₽
  • 10
    1 432 ₽
  • 100
    1 193 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXA20I1200PZ-TUB
  • Описание:
    Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2Все характеристики

Минимальная цена IXA20I1200PZ-TUB при покупке от 1 шт 1830.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXA20I1200PZ-TUB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXA20I1200PZ-TUB

IXA20I1200PZ-TUB IXYS Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение:
      1200 В
    • Рейтингный ток:
      20 А
    • Тип устройства:
      TO-263D2 (DISC)
    • Тип:
      IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель:
      IXYS
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкий ток срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Регулирование напряжения в источниках питания
    • Использование в промышленных системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Источниках питания
    • Системах энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики IXA20I1200PZ-TUB

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    38 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    165 W
  • Энергия переключения
    1.6mJ (on), 1.7mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    47 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    48ns/230ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 56Ohm, 15V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263HV
  • Base Product Number
    IXA20I1200

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGT8TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    276Кешбэк 41 балл
    RGT8NS65DGC9Транзистор: IGBT
    287Кешбэк 43 балла
    RGT30TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    326Кешбэк 48 баллов
    RGT16NS65DGC9Транзистор: IGBT
    339Кешбэк 50 баллов
    RGT20TM65DGC9Транзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    456Кешбэк 68 баллов
    RGPR30BM40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    476Кешбэк 71 балл
    RGT8NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    478Кешбэк 71 балл
    RGPR10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR20NS43HRTLТранзистор: 430V 20A IGNITION IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR30NS40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    502Кешбэк 75 баллов
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGT16BM65DTLТранзистор: IGBT
    541Кешбэк 81 балл
    RGPZ10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    RGT16TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    554Кешбэк 83 балла
    RGT20NL65GTLТранзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    556Кешбэк 83 балла
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    RGT16NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    578Кешбэк 86 баллов
    RGTV60TS65GC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    582Кешбэк 87 баллов
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    RGT30NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    600Кешбэк 90 баллов
    RGT30NS65DGC9Транзистор: IGBT
    608Кешбэк 91 балл
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGCL80TK60DGC11Транзистор: IGBT
    641Кешбэк 96 баллов
    RGT40NS65DGC9Транзистор: IGBT
    661Кешбэк 99 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП