Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IXBH42N170
  • В избранное
  • В сравнение
IXBH42N170

IXBH42N170

IXBH42N170
;
IXBH42N170

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXBH42N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 80A 360W TO247Все характеристики

Минимальная цена IXBH42N170 при покупке от 1 шт 5452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXBH42N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXBH42N170

IXBH42N170 IXYS Транзистор: IGBT 1700V 80A 360W TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1700 В
    • Номинальный ток (Imax): 80 А
    • Мощность (Pmax): 360 Вт
    • Форм-фактор: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство установки благодаря форме TO247
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах мощности
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания
    • Конвертерах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Мотор-колесах для электромобилей
    • Системах управления промышленными моторами
    • Солнечных панелях и системах хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXBH42N170

  • Package
    Bulk
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 42A
  • Рассеивание мощности
    360 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    188 nC
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.32 µs
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD
  • Base Product Number
    IXBH42

Техническая документация

 IXBH42N170.pdf
pdf. 0 kb
  • 1230 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 452 ₽
  • 30
    3 545 ₽
  • 120
    3 417 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXBH42N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 80A 360W TO247Все характеристики

Минимальная цена IXBH42N170 при покупке от 1 шт 5452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXBH42N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXBH42N170

IXBH42N170 IXYS Транзистор: IGBT 1700V 80A 360W TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1700 В
    • Номинальный ток (Imax): 80 А
    • Мощность (Pmax): 360 Вт
    • Форм-фактор: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство установки благодаря форме TO247
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах мощности
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания
    • Конвертерах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Мотор-колесах для электромобилей
    • Системах управления промышленными моторами
    • Солнечных панелях и системах хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXBH42N170

  • Package
    Bulk
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 42A
  • Рассеивание мощности
    360 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    188 nC
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.32 µs
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD
  • Base Product Number
    IXBH42

Техническая документация

 IXBH42N170.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXGR48N60C3D1Транзистор: IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
    3 338Кешбэк 500 баллов
    IXGH40N120B2D1Транзистор: IGBT 1200V 75A 380W TO247
    3 340Кешбэк 501 балл
    IXGH40N120A2Транзистор: IGBT 1200V 75A 360W TO247
    3 385Кешбэк 507 баллов
    IXBT16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO268
    3 435Кешбэк 515 баллов
    IXBH16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
    3 525Кешбэк 528 баллов
    IXGH24N170Транзистор: IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
    3 581Кешбэк 537 баллов
    IXYH82N120C3Транзистор: IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
    3 661Кешбэк 549 баллов
    IXGH48N60B3C1Транзистор: IGBT 600V 75A 300W TO247
    3 722Кешбэк 558 баллов
    IXGR6N170AТранзистор: IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247
    3 802Кешбэк 570 баллов
    IXXX110N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 240A 880W PLUS247
    3 954Кешбэк 593 балла
    IXXK160N65B4Транзистор: IGBT 650V 310A 940W TO264
    3 965Кешбэк 594 балла
    IXXR110N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
    3 967Кешбэк 595 баллов
    IXGT16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 190W TO268
    4 113Кешбэк 616 баллов
    IXA37IF1200HJТранзистор: IGBT 1200V 58A 195W TO247
    4 167Кешбэк 625 баллов
    IXXX160N65B4Транзистор: IGBT 650V 310A 940W PLUS247
    4 272Кешбэк 640 баллов
    IXGH32N170Транзистор: IGBT 1700V 75A 350W TO247AD
    4 285Кешбэк 642 балла
    IXXK110N65B4H1IGBT 650V 240A 880W TO264
    4 398Кешбэк 659 баллов
    IXGH2N250Транзистор: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
    4 422Кешбэк 663 балла
    IXGR72N60B3H1Транзистор: IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
    4 441Кешбэк 666 баллов
    IXBT2N250Транзистор: IGBT 2500V 5A 32W TO268
    4 889Кешбэк 733 балла
    IXYB82N120C3H1Транзистор: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
    4 976Кешбэк 746 баллов
    IXXK200N65B4Транзистор: IGBT 650V 370A 1150W TO264
    5 173Кешбэк 775 баллов
    IXGX120N60A3Транзистор: IGBT 600V 200A 780W PLUS247
    5 232Кешбэк 784 балла
    IXBH24N170Транзистор: IGBT 1700V 60A 250W TO247
    5 319Кешбэк 797 баллов
    IXBH42N170Транзистор: IGBT 1700V 80A 360W TO247
    5 452Кешбэк 817 баллов
    IXXK100N60C3H1Транзистор: IGBT 600V 170A 695W TO264
    5 520Кешбэк 828 баллов
    IXYK100N120C3Транзистор: IGBT 1200V 188A 1150W TO264
    5 539Кешбэк 830 баллов
    IXYX100N120C3Транзистор: IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
    5 575Кешбэк 836 баллов
    IXGX320N60B3Транзистор: IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
    5 593Кешбэк 838 баллов
    IXBT24N170Транзистор: IGBT 1700V 60A 250W TO268
    5 615Кешбэк 842 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП