Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXFH12N100F

IXFH12N100F

IXFH12N100F
;
IXFH12N100F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXFH12N100F при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH12N100F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFH12N100F

Основные параметры:

  • Напряжение сток-исток (Vds): 1000V
  • Максимальный ток стока (Id): 12A
  • Тип MOSFET: N-канальный
  • Корпус: TO247AD
  • Производитель: Littelfuse Inc.
  • Модель: IXFH12N100F

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (1000V) – подходит для применений с высоким напряжением.
  • Относительно высокий ток (12A) – позволяет использовать в силовых цепях.
  • Корпус TO247AD – обеспечивает хорошее теплоотведение.
  • N-канальный MOSFET – широко используется в различных схемах.
  • Производитель Littelfuse – известная компания, гарантирующая качество.

Минусы:

  • Относительно высокое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) – может приводить к потерям мощности. (Точное значение Rds(on) требует уточнения по datasheet).
  • Не самая высокая скорость переключения – может быть ограничением в высокочастотных приложениях. (Точные параметры переключения требуют уточнения по datasheet).

Общее назначение:

IXFH12N100F – это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в силовых преобразователях, инверторах, импульсных источниках питания и других приложениях, требующих высокой надежности и способности выдерживать высокое напряжение и ток.

Применение:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Драйверы двигателей
  • Силовая электроника
  • Схемы защиты от перенапряжения
  • Автомобильная электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IXFH12N100F

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05Ohm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (IXFH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXFH12

Техническая документация

IXFH12N100F.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXFH12N100F при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH12N100F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFH12N100F

Основные параметры:

  • Напряжение сток-исток (Vds): 1000V
  • Максимальный ток стока (Id): 12A
  • Тип MOSFET: N-канальный
  • Корпус: TO247AD
  • Производитель: Littelfuse Inc.
  • Модель: IXFH12N100F

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (1000V) – подходит для применений с высоким напряжением.
  • Относительно высокий ток (12A) – позволяет использовать в силовых цепях.
  • Корпус TO247AD – обеспечивает хорошее теплоотведение.
  • N-канальный MOSFET – широко используется в различных схемах.
  • Производитель Littelfuse – известная компания, гарантирующая качество.

Минусы:

  • Относительно высокое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) – может приводить к потерям мощности. (Точное значение Rds(on) требует уточнения по datasheet).
  • Не самая высокая скорость переключения – может быть ограничением в высокочастотных приложениях. (Точные параметры переключения требуют уточнения по datasheet).

Общее назначение:

IXFH12N100F – это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в силовых преобразователях, инверторах, импульсных источниках питания и других приложениях, требующих высокой надежности и способности выдерживать высокое напряжение и ток.

Применение:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Драйверы двигателей
  • Силовая электроника
  • Схемы защиты от перенапряжения
  • Автомобильная электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IXFH12N100F

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05Ohm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (IXFH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXFH12

Техническая документация

IXFH12N100F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории