Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IXFN170N25X3
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN170N25X3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 170A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN170N25X3 при покупке от 1 шт 5418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN170N25X3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN170N25X3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    170A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.4mOhm @ 85A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN170
Техническая документация
 IXFN170N25X3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 49 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 418 ₽
  • 10
    4 427 ₽
  • 100
    4 178 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN170N25X3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 170A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN170N25X3 при покупке от 1 шт 5418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN170N25X3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN170N25X3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    170A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.4mOhm @ 85A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN170
Техническая документация
 IXFN170N25X3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    C3M0040120J11200V 40 M SIC MOSFET
    5 623Кешбэк 843 балла
    AONS32304MOSFET N-CH 30V 40A/140A 8DFN
    297Кешбэк 44 балла
    DMN3060LWQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
    69Кешбэк 10 баллов
    BUK9D23-40EXMOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
    117Кешбэк 17 баллов
    IPD50R650CEAUMA1MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
    203Кешбэк 30 баллов
    BSC010NE2LSIATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
    312Кешбэк 46 баллов
    IPA60R180P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
    471Кешбэк 70 баллов
    BUK6D210-60EXMOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
    73Кешбэк 10 баллов
    BSS84K-TPMOSFET P-CH 60V 130MA SOT23
    47Кешбэк 7 баллов
    IPB80P04P405ATMA2MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
    578Кешбэк 86 баллов
    ZXMN6A09GQTAMOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
    414Кешбэк 62 балла
    IRF740APBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    637Кешбэк 95 баллов
    UPA2723T1A-E2-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    438Кешбэк 65 баллов
    IXTA1R6N100D2HVMOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
    1 189Кешбэк 178 баллов
    SQ3495EV-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
    117Кешбэк 17 баллов
    FDD6670A_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    232Кешбэк 34 балла
    STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
    768Кешбэк 115 баллов
    NVMFS5C450NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
    281Кешбэк 42 балла
    FDP4030LN-CHANNEL POWER MOSFET
    162Кешбэк 24 балла
    BUZ102SLN-CHANNEL POWER MOSFET
    325Кешбэк 48 баллов
    AUIRFSL6535MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3
    321Кешбэк 48 баллов
    GT060N04D3N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
    193Кешбэк 28 баллов
    IRF830BТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    157Кешбэк 23 балла
    TK160F10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    493Кешбэк 73 балла
    IPB020NE7N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    925Кешбэк 138 баллов
    BUK7M4R3-40HXMOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
    215Кешбэк 32 балла
    TSM650N15CR RLGMOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
    547Кешбэк 82 балла
    AON7318MOSFET N-CH 30V 36.5A/50A 8DFN
    250Кешбэк 37 баллов
    SIDR870ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
    433Кешбэк 64 балла
    NTBG020N120SC1SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
    6 645Кешбэк 996 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП