Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IXFT32N100XHV
  • В избранное
  • В сравнение
IXFT32N100XHV

IXFT32N100XHV

IXFT32N100XHV
;
IXFT32N100XHV

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFT32N100XHV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HVВсе характеристики

Минимальная цена IXFT32N100XHV при покупке от 1 шт 4574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFT32N100XHV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFT32N100XHV

IXFT32N100XHV — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства компании IXYS. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 1000 В
  • Разрядная способность при Uce = 40 В: 32 А
  • Пакет: TO268HV

Плюсы:

  • Высокое напряжение
  • Высокая разрядная способность
  • Долговечность и надежность
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
  • Требуют более сложного охлаждения из-за высокой мощности

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в различных электронных устройствах и системах
  • Подходит для высоковольтных приложений
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, блоках питания

Эти MOSFETы применяются в:

  • Автомобильной промышленности
  • Промышленном оборудовании
  • Системах управления током
  • Системах питания серверных шкафов и данных
Выбрано: Показать

Характеристики IXFT32N100XHV

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4075 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    890W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268HV (IXFT)
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXFT32

Техническая документация

 IXFT32N100XHV.pdf
pdf. 0 kb
  • 257 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 574 ₽
  • 10
    2 844 ₽
  • 120
    2 842 ₽
  • 510
    2 735 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFT32N100XHV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HVВсе характеристики

Минимальная цена IXFT32N100XHV при покупке от 1 шт 4574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFT32N100XHV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFT32N100XHV

IXFT32N100XHV — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства компании IXYS. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 1000 В
  • Разрядная способность при Uce = 40 В: 32 А
  • Пакет: TO268HV

Плюсы:

  • Высокое напряжение
  • Высокая разрядная способность
  • Долговечность и надежность
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
  • Требуют более сложного охлаждения из-за высокой мощности

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в различных электронных устройствах и системах
  • Подходит для высоковольтных приложений
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, блоках питания

Эти MOSFETы применяются в:

  • Автомобильной промышленности
  • Промышленном оборудовании
  • Системах управления током
  • Системах питания серверных шкафов и данных
Выбрано: Показать

Характеристики IXFT32N100XHV

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4075 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    890W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268HV (IXFT)
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXFT32

Техническая документация

 IXFT32N100XHV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
    754Кешбэк 113 баллов
    NVMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    2 081Кешбэк 312 баллов
    SUM90220E-GE3MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    595Кешбэк 89 баллов
    IPB65R150CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
    797Кешбэк 119 баллов
    IRFF211N-CHANNEL POWER MOSFET
    315Кешбэк 47 баллов
    IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
    1 009Кешбэк 151 балл
    SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
    328Кешбэк 49 баллов
    NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
    1 104Кешбэк 165 баллов
    SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    272Кешбэк 40 баллов
    G3R60MT07D750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
    1 879Кешбэк 281 балл
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    872Кешбэк 130 баллов
    DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
    241Кешбэк 36 баллов
    XP151A12A2MR-GMOSFET N-CH 20V 1A SOT23
    143Кешбэк 21 балл
    C3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
    2 464Кешбэк 369 баллов
    2SK2935-93-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    728Кешбэк 109 баллов
    RQ5E070BNTCLMOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    FDBL86063-F085MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
    1 451Кешбэк 217 баллов
    UF3SC120016K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
    10 456Кешбэк 1 568 баллов
    IPB70N10S312ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    685Кешбэк 102 балла
    2SJ135-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    452Кешбэк 67 баллов
    SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400V
    222Кешбэк 33 балла
    BSS84-TPТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
    37.5Кешбэк 5 баллов
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    621Кешбэк 93 балла
    IPB80N06S407ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    333Кешбэк 49 баллов
    TSM2301ACX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
    114Кешбэк 17 баллов
    SQ2319ADS-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
    204Кешбэк 30 баллов
    NVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    2 177Кешбэк 326 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП