Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3
;
IXFT70N30Q3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXFT70N30Q3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFT70N30Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3 IXYS MOSFET N-CH 300V 70A TO268

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 300В
    • Номинальный ток (ID) - 70А
    • Тип - N-канальный
    • Пакет - TO268
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое напряжение включения
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO268
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах преобразования напряжения
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Использование в трансформаторных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IXFT70N30Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4735 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXFT70

Техническая документация

IXFT70N30Q3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXFT70N30Q3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFT70N30Q3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3 IXYS MOSFET N-CH 300V 70A TO268

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 300В
    • Номинальный ток (ID) - 70А
    • Тип - N-канальный
    • Пакет - TO268
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое напряжение включения
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO268
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах преобразования напряжения
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Использование в трансформаторных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IXFT70N30Q3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    300 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4735 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXFT70

Техническая документация

IXFT70N30Q3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории