IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1 IXYS Транзистор

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения ВБР: 1200 В
• Рейтинг тока: 30 А
• Тип: полупроводниковый транзистор, MOSFET
• Технология: SiC (сажевая кремниевая полупроводниковая технология)
• Температурный класс: B (до 150°C)
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Низкое значение тока течения в отключенном состоянии
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и масса
• Высокая термическая стабильность
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требует дополнительных компонентов для защиты при работе с высокими напряжениями
• Общее назначение:
• Управление током в электрических цепях
• Переключение высоковольтных цепей
• Изоляция сигналов и управление мощностью
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Системы управления двигателем
• Солнечные батареи и системы хранения энергии
• Питание высокой мощности
• Компьютерные системы и серверы