Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IXGK75N250
IXGK75N250

IXGK75N250

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGK75N250
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 2500V 170A 780W TO264Все характеристики

Минимальная цена IXGK75N250 при покупке от 1 шт 24569.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGK75N250 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGK75N250

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    170 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    530 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.6V @ 15V, 150A
  • Рассеивание мощности
    780 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    410 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Исполнение корпуса
    TO-264 (IXGK)
  • Base Product Number
    IXGK75
Техническая документация
 IXGK75N250.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 322 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    24 569 ₽
  • 10
    20 764 ₽
  • 100
    17 652 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGK75N250
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 2500V 170A 780W TO264Все характеристики

Минимальная цена IXGK75N250 при покупке от 1 шт 24569.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGK75N250 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGK75N250

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    170 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    530 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.6V @ 15V, 150A
  • Рассеивание мощности
    780 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    410 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Исполнение корпуса
    TO-264 (IXGK)
  • Base Product Number
    IXGK75
Техническая документация
 IXGK75N250.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGF20H60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 37W TO220FP
    547Кешбэк 82 балла
    APT50GT120B2RGТранзистор: IGBT 1200V 94A 625W TO247
    3 000Кешбэк 450 баллов
    IKW15N120H3IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A
    916Кешбэк 137 баллов
    STGW19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 42A 140W TO247
    724Кешбэк 108 баллов
    IKP15N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 30A TO220-3
    526Кешбэк 78 баллов
    SGP10N60RUFDTUТранзистор: IGBT 600V 16A TO220-3
    197Кешбэк 29 баллов
    STGW20V60FТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    872Кешбэк 130 баллов
    STGP8NC60KDТранзистор: IGBT 600V 15A 65W TO220
    335Кешбэк 50 баллов
    IXBH10N300HVТранзистор: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
    16 343Кешбэк 2 451 балл
    IRG8P40N120KD-EPBFТранзистор: IRG8P40N120 - DISCRETE IGBT WITH
    942Кешбэк 141 балл
    IRG8P45N65UD1PBFТранзистор: IRG8P45N65 - 65V, 45A IGBT
    807Кешбэк 121 балл
    STGW80H65DFBТранзистор: IGBT 650V 120A 469W TO-247
    1 102Кешбэк 165 баллов
    IXYK100N120C3Транзистор: IGBT 1200V 188A 1150W TO264
    5 456Кешбэк 818 баллов
    HGT1S14N36G3VLTТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    287Кешбэк 43 балла
    IRG7PH35UD1-EPТранзистор: IGBT 1200V 50A 179W TO247
    624Кешбэк 93 балла
    RJH60D3DPE-00#J3Транзистор: IGBT 600V 35A LDPAK
    294Кешбэк 44 балла
    RGT80TS65DGC11Транзистор
    1 006Кешбэк 150 баллов
    IXBX50N360HVТранзистор: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
    25 469Кешбэк 3 820 баллов
    HGTG30N60A4Транзистор: IGBT 600V 75A TO247-3
    1 131Кешбэк 169 баллов
    FGB7N60UNDFТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    162Кешбэк 24 балла
    APT75GN60BGТранзистор: IGBT 600V 155A 536W TO247
    1 285Кешбэк 192 балла
    IGP06N60TXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO220-3
    276Кешбэк 41 балл
    NGB8207ANT4GТранзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
    328Кешбэк 49 баллов
    IXYX140N90C3Транзистор: IGBT 900V 310A 1630W TO247
    4 349Кешбэк 652 балла
    IRGP6650D-EPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    1 095Кешбэк 164 балла
    IXGT6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO268
    2 933Кешбэк 439 баллов
    IGB15N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
    361Кешбэк 54 балла
    IRGP6690D-EPBFТранзистор: IGBT 600V 90A TO247AD
    319Кешбэк 47 баллов
    SGP20N60HSXKSA1Транзистор: IGBT 600V 36A 178W TO220-3
    305Кешбэк 45 баллов
    IRGB4B60KPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 63W TO220A
    137Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП