Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IXGT10N170
IXGT10N170

IXGT10N170

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGT10N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO268Все характеристики

Минимальная цена IXGT10N170 при покупке от 1 шт 3301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGT10N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGT10N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    70 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    4V @ 15V, 10A
  • Рассеивание мощности
    110 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Base Product Number
    IXGT10
Техническая документация
 IXGT10N170.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 338 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 301 ₽
  • 30
    2 049 ₽
  • 120
    1 795 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGT10N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO268Все характеристики

Минимальная цена IXGT10N170 при покупке от 1 шт 3301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGT10N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGT10N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    70 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    4V @ 15V, 10A
  • Рассеивание мощности
    110 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Base Product Number
    IXGT10
Техническая документация
 IXGT10N170.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGD7NB60KT4Транзистор: IGBT 600V 14A 70W DPAK
    114Кешбэк 17 баллов
    FGA90N30DTUТранзистор: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
    447Кешбэк 67 баллов
    FGH50N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    1 190Кешбэк 178 баллов
    IRG7PH44K10D-EPBFТранзистор: IGBT 1200V 70A 320W TO247AD
    843Кешбэк 126 баллов
    IXXH30N60B3Транзистор: IGBT 600V TO247
    1 262Кешбэк 189 баллов
    NGTB35N60FL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247
    1 022Кешбэк 153 балла
    STGW15H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
    722Кешбэк 108 баллов
    SGH10N60RUFDTUТранзистор: IGBT, 16A, 600V, N-CHANNEL
    405Кешбэк 60 баллов
    HGT1S2N120CNТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    360Кешбэк 54 балла
    FGPF30N30TDTUТранзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB
    209Кешбэк 31 балл
    NGTG35N65FL2WGТранзистор: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
    379Кешбэк 56 баллов
    STGF5H60DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    275Кешбэк 41 балл
    STGF17NC60SDТранзистор: IGBT 600V 17A 32W TO220FP
    522Кешбэк 78 баллов
    IGZ100N65H5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
    722Кешбэк 108 баллов
    RJH60M1DPP-M0#T2Транзистор: IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
    628Кешбэк 94 балла
    SGS13N60UFDTUТранзистор: IGBT, 13A, 600V, N-CHANNEL
    126Кешбэк 18 баллов
    FGPF50N30TTUТранзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB
    255Кешбэк 38 баллов
    NGTB50N60S1WGТранзистор: IGBT 50A 600V TO-247
    694Кешбэк 104 балла
    IRGP4690DPBFТранзистор: IRGP4690 - DISCRETE IGBT WITH AN
    1 077Кешбэк 161 балл
    RGTH60TS65DGC11Транзистор: IGBT 650V 58A 194W TO-247N
    888Кешбэк 133 балла
    STGF14NC60KDТранзистор: IGBT 600V 11A 28W TO220FP
    438Кешбэк 65 баллов
    STGWA25H120DF2Транзистор: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
    1 207Кешбэк 181 балл
    STGD18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 25A 125W DPAK
    330Кешбэк 49 баллов
    SKW20N60HSFKSA1Транзистор: IGBT 600V 36A 178W TO247-3
    443Кешбэк 66 баллов
    IKA15N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 14A TO220-FP
    462Кешбэк 69 баллов
    NGD8205ANT4GТранзистор: IGBT 390V 20A DPAK
    221Кешбэк 33 балла
    STGP7H60DFТранзистор: IGBT 600V 14A 88W TO-220AB
    345Кешбэк 51 балл
    NGTB35N65FL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
    1 228Кешбэк 184 балла
    IGP20N60H3XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO220-3
    398Кешбэк 59 баллов
    IXXX300N60B3Транзистор: IGBT 600V 550A 2300W TO247
    6 367Кешбэк 955 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП