Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IXGT10N170
  • В избранное
  • В сравнение
IXGT10N170

IXGT10N170

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGT10N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO268Все характеристики

Минимальная цена IXGT10N170 при покупке от 1 шт 3261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGT10N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGT10N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    70 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    4V @ 15V, 10A
  • Рассеивание мощности
    110 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Base Product Number
    IXGT10

Техническая документация

 IXGT10N170.pdf
pdf. 0 kb
  • 338 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 261 ₽
  • 30
    2 025 ₽
  • 120
    1 774 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXGT10N170
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO268Все характеристики

Минимальная цена IXGT10N170 при покупке от 1 шт 3261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGT10N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXGT10N170

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    70 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    4V @ 15V, 10A
  • Рассеивание мощности
    110 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Base Product Number
    IXGT10

Техническая документация

 IXGT10N170.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKW07N120FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 16.5A 125W TO247
    673Кешбэк 100 баллов
    SGW23N60UFDTMТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    205Кешбэк 30 баллов
    IRGP6630D-EPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    643Кешбэк 96 баллов
    STGWA25M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 50A 375W TO247
    977Кешбэк 146 баллов
    SKP02N60XKSA1Транзистор: IGBT 600V 6A 30W TO220-3
    198Кешбэк 29 баллов
    APT25GT120BRDQ2GТранзистор: IGBT 1200V 54A 347W TO247
    1 534Кешбэк 230 баллов
    FGB20N60SFDТранзистор: IGBT 600V 40A 208W D2PAK
    471Кешбэк 70 баллов
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    839Кешбэк 125 баллов
    STGD18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 25A 125W DPAK
    287Кешбэк 43 балла
    HGTG11N120CNDТранзистор: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
    1 196Кешбэк 179 баллов
    STGWT30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO3PF
    708Кешбэк 106 баллов
    STGWT20IH125DFТранзистор: IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
    665Кешбэк 99 баллов
    IXXK200N60C3Транзистор: IGBT 600V 340A 1630W TO264
    5 233Кешбэк 784 балла
    FGH50N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    1 176Кешбэк 176 баллов
    IXYP20N120C3Транзистор: IGBT 1200V 40A 278W TO-220
    1 152Кешбэк 172 балла
    STGW40H120F2Транзистор: IGBT 1200V 40A HS TO-247
    1 198Кешбэк 179 баллов
    RGT40NS65DGTLТранзистор: IGBT 650V 40A 161W TO-263S
    647Кешбэк 97 баллов
    IXGT2N250Транзистор: IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
    7 315Кешбэк 1 097 баллов
    STGF15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    196Кешбэк 29 баллов
    NGTB15N120FL2WGТранзистор: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
    1 295Кешбэк 194 балла
    IRGSL4640DPBFТранзистор: DIODE 600V 24A COPAK-262
    427Кешбэк 64 балла
    IRGP6650DPBFТранзистор
    516Кешбэк 77 баллов
    IRG4IBC20WPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 34W TO220FP
    209Кешбэк 31 балл
    STGW40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO-247
    982Кешбэк 147 баллов
    NGB8202NT4Транзистор: IGBT 440V 20A 150W D2PAK
    270Кешбэк 40 баллов
    FGPF30N30TTUТранзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB
    207Кешбэк 31 балл
    APT40GR120BТранзистор: IGBT 1200V 88A 500W TO247
    1 258Кешбэк 188 баллов
    IRGP4620DPBFТранзистор: IGBT 600V 32A 140W TO247AC
    319Кешбэк 47 баллов
    IKB15N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
    457Кешбэк 68 баллов
    FGA3060ADFТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    691Кешбэк 103 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП