Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P
;
IXTA1R4N100P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTA1R4N100P при покупке от 1 шт 686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R4N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Разрядная токовая способность: 1.4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток стока при открытом состоянии
    • Компактный размер пакета
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Низкая разрядная токовая способность по сравнению с ИБС
    • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях энергии, инверторах и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах для бытовых приборов
    • Преобразователях энергии
    • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R4N100P

Техническая документация

IXTA1R4N100P.pdf
pdf. 0 kb
  • 473 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    686 ₽
  • 10
    364 ₽
  • 100
    331 ₽
  • 500
    302 ₽
  • 1000
    272 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTA1R4N100P при покупке от 1 шт 686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R4N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Разрядная токовая способность: 1.4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток стока при открытом состоянии
    • Компактный размер пакета
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Низкая разрядная токовая способность по сравнению с ИБС
    • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях энергии, инверторах и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах для бытовых приборов
    • Преобразователях энергии
    • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R4N100P

Техническая документация

IXTA1R4N100P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории