Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV
;
IXTA1R6N100D2HV

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTA1R6N100D2HV при покупке от 1 шт 1069.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R6N100D2HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV IXYS MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 1000В
  • Номинальный ток: 1.6А
  • Пакет: TO263HV

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальная рабочая температура: до +150°C
  • Эффективность: высокая при работе с высокими напряжениями

Плюсы:

  • Высокая надежность: устойчив к износу и воздействию внешних факторов
  • Низкий ток течения при открытом канале: уменьшает потери энергии
  • Быстрое переключение: способствует снижению энергопотерь

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: необходима эффективная система охлаждения для предотвращения перегрева
  • Стоимость: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания: для управления нагрузкой и снижения энергопотерь
  • Применение в инверторах: для преобразования прямого тока в переменный
  • Работа в системах управления: для быстрого и точного управления электрическими цепями

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах: для управления электроприводами и подогревом стекол
  • Системах бытовой техники: для управления мощными потребителями энергии
  • Компьютерных системах: для работы с периферийными устройствами и блоками питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R6N100D2HV

Техническая документация

IXTA1R6N100D2HV.pdf
pdf. 0 kb
  • 267 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 069 ₽
  • 10
    635 ₽
  • 100
    556 ₽
  • 500
    485 ₽
  • 1000
    474 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTA1R6N100D2HV при покупке от 1 шт 1069.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R6N100D2HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV IXYS MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 1000В
  • Номинальный ток: 1.6А
  • Пакет: TO263HV

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальная рабочая температура: до +150°C
  • Эффективность: высокая при работе с высокими напряжениями

Плюсы:

  • Высокая надежность: устойчив к износу и воздействию внешних факторов
  • Низкий ток течения при открытом канале: уменьшает потери энергии
  • Быстрое переключение: способствует снижению энергопотерь

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: необходима эффективная система охлаждения для предотвращения перегрева
  • Стоимость: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания: для управления нагрузкой и снижения энергопотерь
  • Применение в инверторах: для преобразования прямого тока в переменный
  • Работа в системах управления: для быстрого и точного управления электрическими цепями

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах: для управления электроприводами и подогревом стекол
  • Системах бытовой техники: для управления мощными потребителями энергии
  • Компьютерных системах: для работы с периферийными устройствами и блоками питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R6N100D2HV

Техническая документация

IXTA1R6N100D2HV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории