Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTA3N50D2

IXTA3N50D2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTA3N50D2 при покупке от 1 шт 971 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA3N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA3N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.5A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1070 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA3
Техническая документация
IXTA3N50D2.pdf
pdf. 0 kb
  • 234 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    971 ₽
  • 50
    696 ₽
  • 100
    622 ₽
  • 500
    541 ₽
  • 1000
    465 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена IXTA3N50D2 при покупке от 1 шт 971 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA3N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA3N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.5A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1070 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA3
Техническая документация
IXTA3N50D2.pdf
pdf. 0 kb