Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTH10P50P
  • В избранное
  • В сравнение
IXTH10P50P

IXTH10P50P

IXTH10P50P
;
IXTH10P50P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTH10P50P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 500V 10A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH10P50P при покупке от 1 шт 1699.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH10P50P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTH10P50P

IXTH10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO247

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VDS): 500В
    • Размер токопроводности (ID): 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый коэффициент сопротивления при включенном состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый тепловыделение
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Существует вероятность повреждения при неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления приводами
    • Работа в схемах преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IXTH10P50P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2840 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH10

Техническая документация

 IXTH10P50P.pdf
pdf. 0 kb
  • 270 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 699 ₽
  • 10
    1 322 ₽
  • 30
    1 170 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTH10P50P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 500V 10A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH10P50P при покупке от 1 шт 1699.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH10P50P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTH10P50P

IXTH10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO247

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VDS): 500В
    • Размер токопроводности (ID): 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый коэффициент сопротивления при включенном состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый тепловыделение
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Существует вероятность повреждения при неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления приводами
    • Работа в схемах преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IXTH10P50P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2840 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH10

Техническая документация

 IXTH10P50P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFH4210DTRPBFHEXFET POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    AUIRFS3806MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    AUIRFU8405MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
    390Кешбэк 58 баллов
    IRFR1205PBFMOSFET N-CH 55V 44A DPAK
    146Кешбэк 21 балл
    AUIRFZ44ZТранзистор: MOSFET N-CH 55V 51A TO220
    241Кешбэк 36 баллов
    IRF6616TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFR024NTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    167Кешбэк 25 баллов
    IRF3709PBFMOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
    165Кешбэк 24 балла
    IRF1405ZSTRLPBFТранзистор: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
    349Кешбэк 52 балла
    AUIRFS3607Транзистор: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
    425Кешбэк 63 балла
    IRFS4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    463Кешбэк 69 баллов
    AUIRF3415AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR024NPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    138Кешбэк 20 баллов
    IRFI3306GPBFMOSFET N-CH 60V 71A TO220
    443Кешбэк 66 баллов
    IRFSL7734PBFIRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
    311Кешбэк 46 баллов
    IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
    199Кешбэк 29 баллов
    AUIRFS8408AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    294Кешбэк 44 балла
    IRFB3256PBFMOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
    331Кешбэк 49 баллов
    IRF630NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR3705ZPBFHEXFET POWER MOSFET
    369Кешбэк 55 баллов
    AUIRFU1010ZMOSFET N-CH 55V 42A TO251-3
    334Кешбэк 50 баллов
    IRFH7921TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
    348Кешбэк 52 балла
    IRFP4868PBFMOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
    1 186Кешбэк 177 баллов
    IRLR9343PBFDIGITAL AUDIO MOSFET
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF1010NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
    248Кешбэк 37 баллов
    IRF7834TRPBFMOSFET N-CH 30V 19A 8SO
    530Кешбэк 79 баллов
    AUIRFP4004MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    691Кешбэк 103 балла
    AUIRFSL8405MOSFET N-CH 40V 120A TO262
    217Кешбэк 32 балла
    IRF840MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    713Кешбэк 106 баллов
    AUIRFZ48ZSMOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП