Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTH12N100L
IXTH12N100L

IXTH12N100L

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTH12N100L
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH12N100L при покупке от 1 шт 4351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH12N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTH12N100L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3Ohm @ 500mA, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH12

Техническая документация

 IXTH12N100L.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1046 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 351 ₽
  • 10
    3 560 ₽
  • 120
    3 144 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTH12N100L
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH12N100L при покупке от 1 шт 4351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH12N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTH12N100L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3Ohm @ 500mA, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH12

Техническая документация

 IXTH12N100L.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIS435DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
    115Кешбэк 17 баллов
    IRLL024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
    120Кешбэк 18 баллов
    IXTA3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 540Кешбэк 231 балл
    2N7000BUТранзистор: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    59Кешбэк 8 баллов
    NTD4813NHT4GMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
    76Кешбэк 11 баллов
    STD2NK90ZT4MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
    416Кешбэк 62 балла
    IRFPC50PBFMOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
    908Кешбэк 136 баллов
    FQPF7N40MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
    124Кешбэк 18 баллов
    IXFX80N60P3MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3
    3 521Кешбэк 528 баллов
    RFD16N05SM9AMOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
    272Кешбэк 40 баллов
    FQD2N60CTMMOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
    213Кешбэк 31 балл
    NP82N055MUG-S18-AYMOSFET N-CH 55V 82A TO220
    373Кешбэк 55 баллов
    NTD4863NAT4GMOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
    79Кешбэк 11 баллов
    FDFMJ2P023ZMOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF
    74Кешбэк 11 баллов
    HUF76609D3SMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    107Кешбэк 16 баллов
    IPD320N20N3GATMA1MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
    665Кешбэк 99 баллов
    NTD70N03RGТранзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    RJK1576DPA-00#J5AMOSFET N-CH 150V 25A WPAK
    806Кешбэк 120 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    NTLJS4159NT1GMOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
    52Кешбэк 7 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 403Кешбэк 210 баллов
    RCX100N25MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM
    510Кешбэк 76 баллов
    NTMS4840NR2GMOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
    100Кешбэк 15 баллов
    SI7137DP-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
    547Кешбэк 82 балла
    STP20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    555Кешбэк 83 балла
    SI7110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
    464Кешбэк 69 баллов
    STW26NM60NMOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    1 303Кешбэк 195 баллов
    SI4062DY-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
    198Кешбэк 29 баллов
    SI7461DP-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
    531Кешбэк 79 баллов
    HUF75639G3MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
    773Кешбэк 115 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП