Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTH130N10T
IXTH130N10T

IXTH130N10T

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    IXTH130N10T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 130A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH130N10T при покупке от 1 шт 1422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH130N10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTH130N10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    130A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    104 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5080 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    360W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH130
Техническая документация
 IXTH130N10T.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 422 ₽
  • 30
    823 ₽
  • 120
    691 ₽
  • 510
    602 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    IXTH130N10T
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 130A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTH130N10T при покупке от 1 шт 1422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH130N10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTH130N10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    130A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    104 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5080 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    360W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 (IXTH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTH130
Техническая документация
 IXTH130N10T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STB37N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
    1 320Кешбэк 198 баллов
    2N6660MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
    2 972Кешбэк 445 баллов
    STL19N60DM2MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
    832Кешбэк 124 балла
    SSM3K15AMFV,L3FMOSFET N-CH 30V 100MA VESM
    43Кешбэк 6 баллов
    IPI100N10S305AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
    404Кешбэк 60 баллов
    IPD70R1K4CEAUMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
    200Кешбэк 30 баллов
    SIHB21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
    850Кешбэк 127 баллов
    CSD18540Q5BTMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    774Кешбэк 116 баллов
    SPB03N60S5N-CHANNEL POWER MOSFET
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN30H4D0LFDE-7MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
    131Кешбэк 19 баллов
    STP55NF06Транзистор: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    318Кешбэк 47 баллов
    IRF2807STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
    490Кешбэк 73 балла
    CSD19534Q5AТранзистор: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
    305Кешбэк 45 баллов
    STP120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
    307Кешбэк 46 баллов
    PMZ600UNEYLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
    50Кешбэк 7 баллов
    IXTY4N65X2MOSFET N-CH 650V 4A TO252
    581Кешбэк 87 баллов
    IRFP22N60KPBFMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    1 701Кешбэк 255 баллов
    NTS4101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
    64Кешбэк 9 баллов
    DMP32D5SFB-7BMOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
    76Кешбэк 11 баллов
    SI5457DC-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
    133Кешбэк 19 баллов
    IXFX150N30P3MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
    4 142Кешбэк 621 балл
    TK4A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
    308Кешбэк 46 баллов
    SFT1423-S-TL-EMOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
    79Кешбэк 11 баллов
    DMP4025SFGQ-7MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
    168Кешбэк 25 баллов
    STD95N4F3MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
    400Кешбэк 60 баллов
    AO7401MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFS9N60ATRLPBFMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    667Кешбэк 100 баллов
    SI3457CDV-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
    42Кешбэк 6 баллов
    IPI100N06S3L04XKMOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
    234Кешбэк 35 баллов
    FCPF9N60NTYDTU
    230Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП