Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTH3N120

IXTH3N120

IXTH3N120
;
IXTH3N120

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTH3N120 при покупке от 1 шт 1787.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH3N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTH3N120

IXTH3N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 3A TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Номинальный ток: 3 А
    • Тип корпуса: TO247
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDson)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактный размер корпуса TO247 для эффективного охлаждения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует дополнительных мер по охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в сверхвысокочастотных преобразователях энергии
    • Инверторах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Источниках питания для ноутбуков и других электронных устройств
    • Системах управления промышленной автоматизацией
    • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики IXTH3N120

Техническая документация

IXTH3N120.pdf
pdf. 0 kb
  • 257 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 787 ₽
  • 10
    1 355 ₽
  • 120
    853 ₽
  • 510
    820 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTH3N120 при покупке от 1 шт 1787.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTH3N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTH3N120

IXTH3N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 3A TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Номинальный ток: 3 А
    • Тип корпуса: TO247
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDson)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактный размер корпуса TO247 для эффективного охлаждения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует дополнительных мер по охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в сверхвысокочастотных преобразователях энергии
    • Инверторах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Источниках питания для ноутбуков и других электронных устройств
    • Системах управления промышленной автоматизацией
    • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики IXTH3N120

Техническая документация

IXTH3N120.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории