Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTJ4N150
  • В избранное
  • В сравнение
IXTJ4N150

IXTJ4N150

IXTJ4N150
;
IXTJ4N150

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTJ4N150
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTJ4N150 при покупке от 1 шт 2245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTJ4N150 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTJ4N150

IXTJ4N150 Littelfuse Inc. Транзистор: MOSFET N-ЧИНИТ 1500В 2,5А TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на разрыв (VDS(on)): 1500В
    • Номинальный ток при VDS(on): 2,5А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Пакет: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря высокому напряжению на разрыв
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер благодаря пакету TO247
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое затухание при переключении
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Уменьшение потерь энергии в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Питание и преобразование напряжений
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики IXTJ4N150

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1576 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    110W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTJ4

Техническая документация

 IXTJ4N150.pdf
pdf. 0 kb
  • 272 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 245 ₽
  • 10
    1 352 ₽
  • 120
    1 284 ₽
  • 510
    1 241 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTJ4N150
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXTJ4N150 при покупке от 1 шт 2245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTJ4N150 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTJ4N150

IXTJ4N150 Littelfuse Inc. Транзистор: MOSFET N-ЧИНИТ 1500В 2,5А TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на разрыв (VDS(on)): 1500В
    • Номинальный ток при VDS(on): 2,5А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Пакет: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря высокому напряжению на разрыв
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер благодаря пакету TO247
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое затухание при переключении
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Уменьшение потерь энергии в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Питание и преобразование напряжений
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики IXTJ4N150

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1576 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    110W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXTJ4

Техническая документация

 IXTJ4N150.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFH4210DTRPBFHEXFET POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    AUIRFS3806MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    AUIRFU8405MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
    390Кешбэк 58 баллов
    IRFR1205PBFMOSFET N-CH 55V 44A DPAK
    146Кешбэк 21 балл
    AUIRFZ44ZТранзистор: MOSFET N-CH 55V 51A TO220
    241Кешбэк 36 баллов
    IRF6616TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFR024NTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    167Кешбэк 25 баллов
    IRF3709PBFMOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
    165Кешбэк 24 балла
    IRF1405ZSTRLPBFТранзистор: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
    349Кешбэк 52 балла
    AUIRFS3607Транзистор: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
    425Кешбэк 63 балла
    IRFS4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    463Кешбэк 69 баллов
    AUIRF3415AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR024NPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    138Кешбэк 20 баллов
    IRFI3306GPBFMOSFET N-CH 60V 71A TO220
    443Кешбэк 66 баллов
    IRFSL7734PBFIRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
    311Кешбэк 46 баллов
    IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
    199Кешбэк 29 баллов
    AUIRFS8408AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    294Кешбэк 44 балла
    IRFB3256PBFMOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
    331Кешбэк 49 баллов
    IRF630NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR3705ZPBFHEXFET POWER MOSFET
    369Кешбэк 55 баллов
    AUIRFU1010ZMOSFET N-CH 55V 42A TO251-3
    334Кешбэк 50 баллов
    IRFH7921TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
    348Кешбэк 52 балла
    IRFP4868PBFMOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
    1 186Кешбэк 177 баллов
    IRLR9343PBFDIGITAL AUDIO MOSFET
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF1010NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
    248Кешбэк 37 баллов
    IRF7834TRPBFMOSFET N-CH 30V 19A 8SO
    530Кешбэк 79 баллов
    AUIRFP4004MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    691Кешбэк 103 балла
    AUIRFSL8405MOSFET N-CH 40V 120A TO262
    217Кешбэк 32 балла
    IRF840MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    713Кешбэк 106 баллов
    AUIRFZ48ZSMOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП