Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP08N50D2
  • В избранное
  • В сравнение
IXTP08N50D2

IXTP08N50D2

IXTP08N50D2
;
IXTP08N50D2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP08N50D2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 800MA TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP08N50D2 при покупке от 1 шт 618.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP08N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP08N50D2

IXTP08N50D2 IXYS MOSFET N-Ч 500В 800mA TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 500В
    • Максимальный ток: 800mA
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкий коэффициент сопротивления при включении (Ron)
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Нуждается в дополнительном охлаждении при высоких нагрузках
    • Уязвим к электрическим импульсам
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание бытовой техники
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP08N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6Ohm @ 400mA, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    312 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP08

Техническая документация

 IXTP08N50D2.pdf
pdf. 0 kb
  • 580 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    618 ₽
  • 10
    325 ₽
  • 100
    272 ₽
  • 500
    252 ₽
  • 1000
    222 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP08N50D2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 800MA TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP08N50D2 при покупке от 1 шт 618.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP08N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP08N50D2

IXTP08N50D2 IXYS MOSFET N-Ч 500В 800mA TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 500В
    • Максимальный ток: 800mA
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкий коэффициент сопротивления при включении (Ron)
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Нуждается в дополнительном охлаждении при высоких нагрузках
    • Уязвим к электрическим импульсам
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание бытовой техники
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP08N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    800mA (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6Ohm @ 400mA, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    312 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP08

Техническая документация

 IXTP08N50D2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFH4210DTRPBFHEXFET POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    AUIRFS3806MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    AUIRFU8405MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
    390Кешбэк 58 баллов
    IRFR1205PBFMOSFET N-CH 55V 44A DPAK
    146Кешбэк 21 балл
    AUIRFZ44ZТранзистор: MOSFET N-CH 55V 51A TO220
    241Кешбэк 36 баллов
    IRF6616TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFR024NTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    167Кешбэк 25 баллов
    IRF3709PBFMOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
    165Кешбэк 24 балла
    IRF1405ZSTRLPBFТранзистор: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
    349Кешбэк 52 балла
    AUIRFS3607Транзистор: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
    425Кешбэк 63 балла
    IRFS4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    463Кешбэк 69 баллов
    AUIRF3415AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR024NPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    138Кешбэк 20 баллов
    IRFI3306GPBFMOSFET N-CH 60V 71A TO220
    443Кешбэк 66 баллов
    IRFSL7734PBFIRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
    311Кешбэк 46 баллов
    IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
    199Кешбэк 29 баллов
    AUIRFS8408AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    294Кешбэк 44 балла
    IRFB3256PBFMOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
    331Кешбэк 49 баллов
    IRF630NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR3705ZPBFHEXFET POWER MOSFET
    369Кешбэк 55 баллов
    AUIRFU1010ZMOSFET N-CH 55V 42A TO251-3
    334Кешбэк 50 баллов
    IRFH7921TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
    348Кешбэк 52 балла
    IRFP4868PBFMOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
    1 186Кешбэк 177 баллов
    IRLR9343PBFDIGITAL AUDIO MOSFET
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF1010NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
    248Кешбэк 37 баллов
    IRF7834TRPBFMOSFET N-CH 30V 19A 8SO
    530Кешбэк 79 баллов
    AUIRFP4004MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    691Кешбэк 103 балла
    AUIRFSL8405MOSFET N-CH 40V 120A TO262
    217Кешбэк 32 балла
    IRF840MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    713Кешбэк 106 баллов
    AUIRFZ48ZSMOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП